Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. Проведено иссл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167875 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С.
Проведено исследование тензометрических характеристик нитевидных кристаллов фосфида галлия р-типа проводимости, легированных цинком. Па основе этих кристаллов созданы сенсоры деформации, работоспособные в интервале деформаций ±1,2-10⁻³ опт. ед. и широком диапазоне температур от 20 до 550°С.
The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10⁻³ rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |