Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. Проведено иссл...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167875 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862684521788342272 |
|---|---|
| author | Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. |
| author_facet | Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. |
| citation_txt | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С.
Проведено исследование тензометрических характеристик нитевидных кристаллов фосфида галлия р-типа проводимости, легированных цинком. Па основе этих кристаллов созданы сенсоры деформации, работоспособные в интервале деформаций ±1,2-10⁻³ опт. ед. и широком диапазоне температур от 20 до 550°С.
The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10⁻³ rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:58:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167875 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:58:44Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. 2020-04-12T15:55:20Z 2020-04-12T15:55:20Z 2019 Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.3-4.26 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167875 625.315.592 Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. Проведено исследование тензометрических характеристик нитевидных кристаллов фосфида галлия р-типа проводимости, легированных цинком. Па основе этих кристаллов созданы сенсоры деформации, работоспособные в интервале деформаций ±1,2-10⁻³ опт. ед. и широком диапазоне температур от 20 до 550°С. The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10⁻³ rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію Высокотемпературные датчики деформации на основе нитевидных кристалов фосфида галия High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers Article published earlier |
| spellingShingle | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. Сенсоэлектроника |
| title | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_alt | Высокотемпературные датчики деформации на основе нитевидных кристалов фосфида галия High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers |
| title_full | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_fullStr | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_full_unstemmed | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_short | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_sort | високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167875 |
| work_keys_str_mv | AT družinínao visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT marâmovaíi visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT kutrakovop visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT družinínao vysokotemperaturnyedatčikideformaciinaosnovenitevidnyhkristalovfosfidagaliâ AT marâmovaíi vysokotemperaturnyedatčikideformaciinaosnovenitevidnyhkristalovfosfidagaliâ AT kutrakovop vysokotemperaturnyedatčikideformaciinaosnovenitevidnyhkristalovfosfidagaliâ AT družinínao hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers AT marâmovaíi hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers AT kutrakovop hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers |