Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. Проведено иссл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | Дружинін, А.О., Мар’ямова, І.Й., Кутраков, О.П. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167875 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Druzhynin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Druzhynin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію
von: Вишневський, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вишневський, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Безпровідна система моніторингу деформацій з використанням тензорезисторів на основі ниткоподібних кристалів кремнію
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Порівняльні дослідження фізико-хімічних і технологічних властивостей вуглецевих нанотрубок і вуглецевих ниткоподібних кристалів
von: Полторацький, В. Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Полторацький, В. Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Трехпараметрический генераторный датчик
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
von: Кутова, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Кутова, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Решение задачи газового демпфирования чувствительных элементов микроэлектронных акселерометров
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Інтелектуальні сенсори
von: Войтович, І.
Veröffentlicht: (2009)
von: Войтович, І.
Veröffentlicht: (2009)
Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Автотрассовый газоанализатор
von: Девятко, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Девятко, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Мостовые магниточувствительные сенсоры
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
von: Малкин, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Малкин, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оперативный контроль состояния акустических сенсорных сетей
von: Болтенков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Болтенков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
von: Мухоед, Н.А.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мухоед, Н.А.
Veröffentlicht: (2003)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Druzhynin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію
von: Вишневський, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)