Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установ...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743426156462080 |
|---|---|
| author | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| author_facet | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| citation_txt | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества.
Твердотільні детектори іонізуючих випромінювань, виконані на основі високоомних напівпровідників, можуть використовуватись в сфері моніторингу безпеки ядерних реакторів. Такі високоомні матеріали, як CdTe і CdZnTe, мають дуже хороші електрофізичні і детекторні властивості. Метою даної роботи було визначення методом комп’ютерного моделювання характеру впливу домішок і структурних дефектів, а також їхніх кластерів на електрофізичні і детекторні властивості Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3).
Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how impurities and structural defects, as well as their clusters, affect electrophysical and detector properties of Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0.3).
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:30:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167886 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:30:11Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. 2020-04-12T19:12:48Z 2020-04-12T19:12:48Z 2019 Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.43 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886 621.315.592.3 С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества. Твердотільні детектори іонізуючих випромінювань, виконані на основі високоомних напівпровідників, можуть використовуватись в сфері моніторингу безпеки ядерних реакторів. Такі високоомні матеріали, як CdTe і CdZnTe, мають дуже хороші електрофізичні і детекторні властивості. Метою даної роботи було визначення методом комп’ютерного моделювання характеру впливу домішок і структурних дефектів, а також їхніх кластерів на електрофізичні і детекторні властивості Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how impurities and structural defects, as well as their clusters, affect electrophysical and detector properties of Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0.3). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы электроники |
| title | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe |
| title_alt | Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe |
| title_full | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe |
| title_fullStr | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe |
| title_full_unstemmed | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe |
| title_short | Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe |
| title_sort | влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства cdte и cdznte |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai vliânieprimeseiistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvoistvacdteicdznte AT kovtungp vliânieprimeseiistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvoistvacdteicdznte AT kondrikai vplivdomíšokístrukturnihdefektívnaelektrofízičnítadetektornívlastivostícdtetacdznte AT kovtungp vplivdomíšokístrukturnihdefektívnaelektrofízičnítadetektornívlastivostícdtetacdznte AT kondrikai influenceofimpuritiesandstructuraldefectsonelectrophysicalanddetectorpropertiesofcdteandcdznte AT kovtungp influenceofimpuritiesandstructuraldefectsonelectrophysicalanddetectorpropertiesofcdteandcdznte |