Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe

С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2019
Автори: Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167886
record_format dspace
spelling Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
2020-04-12T19:12:48Z
2020-04-12T19:12:48Z
2019
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.43
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886
621.315.592.3
С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества.
Твердотільні детектори іонізуючих випромінювань, виконані на основі високоомних напівпровідників, можуть використовуватись в сфері моніторингу безпеки ядерних реакторів. Такі високоомні матеріали, як CdTe і CdZnTe, мають дуже хороші електрофізичні і детекторні властивості. Метою даної роботи було визначення методом комп’ютерного моделювання характеру впливу домішок і структурних дефектів, а також їхніх кластерів на електрофізичні і детекторні властивості Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3).
Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how impurities and structural defects, as well as their clusters, affect electrophysical and detector properties of Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0.3).
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
spellingShingle Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
Материалы электроники
title_short Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_full Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_fullStr Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_full_unstemmed Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_sort влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства cdte и cdznte
author Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
author_facet Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2019
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
description С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества. Твердотільні детектори іонізуючих випромінювань, виконані на основі високоомних напівпровідників, можуть використовуватись в сфері моніторингу безпеки ядерних реакторів. Такі високоомні матеріали, як CdTe і CdZnTe, мають дуже хороші електрофізичні і детекторні властивості. Метою даної роботи було визначення методом комп’ютерного моделювання характеру впливу домішок і структурних дефектів, а також їхніх кластерів на електрофізичні і детекторні властивості Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how impurities and structural defects, as well as their clusters, affect electrophysical and detector properties of Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0.3).
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886
citation_txt Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kondrikai vliânieprimeseiistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvoistvacdteicdznte
AT kovtungp vliânieprimeseiistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvoistvacdteicdznte
AT kondrikai vplivdomíšokístrukturnihdefektívnaelektrofízičnítadetektornívlastivostícdtetacdznte
AT kovtungp vplivdomíšokístrukturnihdefektívnaelektrofízičnítadetektornívlastivostícdtetacdznte
AT kondrikai influenceofimpuritiesandstructuraldefectsonelectrophysicalanddetectorpropertiesofcdteandcdznte
AT kovtungp influenceofimpuritiesandstructuraldefectsonelectrophysicalanddetectorpropertiesofcdteandcdznte
first_indexed 2025-12-07T20:30:11Z
last_indexed 2025-12-07T20:30:11Z
_version_ 1850882823806779392

Схожі ресурси