Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2019
• Hauptverfasser: Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167886
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установ...