Квантовая природа механизмов образования монослойных структур Ag на монокристаллических полупроводниковых поверхностях - Карбовская, Л.И.; Кузнецова, Е.Я.; Карбовский, В.Л.; Смоляк, С.С.; Артемюк, В.А. (Успехи физики металлов, 2019)
Обозревается «квантовая инженерия» по созданию новых форм вещества, выращенных на поверхности полупроводниковых кристаллов. Анализируются механизмы роста металлических плёнок на полупроводниковых подложках. Рассматривается влияние подложки полупроводников III–V группы на морфологию роста серебряных плёнок. Описывается влияние температуры на морфологию плёнок. Установлены условия стабильности низкотемпературного роста плёнок Ag на поверхностях Si (001) 2 × 1 и Si (111) 7 × 7. Сделан вывод о том, что квантовые эффекты играют решающую роль в конструировании атомарно плоских металлических слоёв серебра на ряде монокристаллических плоскостей. Оглянуто «квантову інженерію» зі створення нових форм речовини, вирощених на поверхні напівпровідникових кристалів. Проаналізовано механізми росту металевих плівок на напівпровідникових підкладинках. Розглянуто вплив підкладинки напівпровідників III–V групи на морфологію росту срібних плівок. Описано вплив температури на морфологію плівок. Встановлено умови стабільности низькотемпературного росту плівок Ag на поверхнях Si (001) 2×1 і Si (111) 7×7. Зроблено висновок про те, що квантові ефекти відіграють вирішальну роль у конструюванні атомарно пласких металевих шарів срібла на ряді монокристалічних площин. The ‘quantum engineering’ of creation of the new forms of matter grown on the surface of semiconductor crystals is reviewed. The growth mechanisms for metal films on the semiconductor substrates are analyzed. The effects of a semiconductor substrate of III–V group on the morphology of the silver-films’ growth are considered. An influence of temperature on the morphology of films is described. The stability conditions for a low-temperature growth of Ag films on the Si (001) 2×1 and Si (111) 7×7 surfaces are revealed. As concluded, the quantum effects play a crucial role in the design of atomically flat metallic silver layers on the series of single crystal planes.