Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Шeвчук, С.Н., Романко, Л.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2003
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами. The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics.