Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168027 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. 2020-04-19T17:02:58Z 2020-04-19T17:02:58Z 2003 Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.-h, 72.20.-i, 06.30.-k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами. The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Електрофізичні характеристики монокристалів алмазу, які були вирощені методом температурного градієнту Electrophysical characteristics of diamond single crystals grown by temperature gradient method Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| spellingShingle |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| title_short |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_full |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_fullStr |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_full_unstemmed |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_sort |
электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| author |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| author_facet |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика и техника высоких давлений |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електрофізичні характеристики монокристалів алмазу, які були вирощені методом температурного градієнту Electrophysical characteristics of diamond single crystals grown by temperature gradient method |
| description |
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами.
The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics.
|
| issn |
0868-5924 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 |
| citation_txt |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ševčuksn élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT romankola élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT ševčuksn elektrofízičníharakteristikimonokristalívalmazuâkíbuliviroŝenímetodomtemperaturnogogradíêntu AT romankola elektrofízičníharakteristikimonokristalívalmazuâkíbuliviroŝenímetodomtemperaturnogogradíêntu AT ševčuksn electrophysicalcharacteristicsofdiamondsinglecrystalsgrownbytemperaturegradientmethod AT romankola electrophysicalcharacteristicsofdiamondsinglecrystalsgrownbytemperaturegradientmethod |
| first_indexed |
2025-11-29T12:17:31Z |
| last_indexed |
2025-11-29T12:17:31Z |
| _version_ |
1850854890286350336 |