Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2003
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862614841304285184 |
|---|---|
| author | Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| author_facet | Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| citation_txt | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами.
The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics.
|
| first_indexed | 2025-11-29T12:17:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168027 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T12:17:31Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. 2020-04-19T17:02:58Z 2020-04-19T17:02:58Z 2003 Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.-h, 72.20.-i, 06.30.-k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами. The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Електрофізичні характеристики монокристалів алмазу, які були вирощені методом температурного градієнту Electrophysical characteristics of diamond single crystals grown by temperature gradient method Article published earlier |
| spellingShingle | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| title | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_alt | Електрофізичні характеристики монокристалів алмазу, які були вирощені методом температурного градієнту Electrophysical characteristics of diamond single crystals grown by temperature gradient method |
| title_full | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_fullStr | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_full_unstemmed | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_short | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_sort | электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 |
| work_keys_str_mv | AT ševčuksn élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT romankola élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT ševčuksn elektrofízičníharakteristikimonokristalívalmazuâkíbuliviroŝenímetodomtemperaturnogogradíêntu AT romankola elektrofízičníharakteristikimonokristalívalmazuâkíbuliviroŝenímetodomtemperaturnogogradíêntu AT ševčuksn electrophysicalcharacteristicsofdiamondsinglecrystalsgrownbytemperaturegradientmethod AT romankola electrophysicalcharacteristicsofdiamondsinglecrystalsgrownbytemperaturegradientmethod |