Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |