Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Шeвчук, С.Н., Романко, Л.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2003
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168027
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...