Электронные явления переноса в бинарных и тройных полупроводниках в области полиморфного превращения при высоком давлении. (Обзор)

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2004
• Main Author: Моллаев, А.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168044
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Электронные явления переноса в бинарных и тройных полупроводниках в области полиморфного превращения при высоком давлении. (Обзор) / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 1. — С. 34-43. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

На монокристаллических образцах бинарных и тройных полупроводниковых соединений (n- и p-InAs, n-CdAs₂, p-CdTe и CdSnAs₂) исследованы эффект Холла и удельное электросопротивление при гидростатическом давлении до 10 GPa в диапазоне комнатных температур в области фазового превращения. Из анализа экспериментальных результатов сделан вывод о независимости положения фазового перехода и характеристических параметров и точек фазового превращения от концентрации, типа носителей, лигатуры и кристаллографической ориентации образцов. Согласно модели гетерофазная структура–эффективная среда рассчитана динамика изменения фазового состава с повышением давления. The Hall effect and the specific resistance are investigated at the hydrostatic pressure up to 10 GPa and room temperature in a range of phase transition, in monocrystal samples of binary and ternary semiconductive compounds (n- and p-InAs, n-CdAs₂, p-CdTe and CdSnAs₂). From the analysis of experimental results it is concluded that position of phase transition does not depend upon carrier concentration, carrier type, impurity and crystallographic orientation of samples. According to the heterophase structure−effective medium model the change in dynamics of phase composition with pressure increase is calculated.