Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2004
• ISSN: 0868-5924
• Hauptverfasser: Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Москаль, Д.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168075
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов. An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current.