Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов
Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, вре...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168075 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732220727296000 |
|---|---|
| author | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. |
| author_facet | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. |
| citation_txt | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов.
An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:30:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168075 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:30:35Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. 2020-04-20T19:11:38Z 2020-04-20T19:11:38Z 2004 Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.40.Ef, 62.20.Fe https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168075 Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов. An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов Arrangement for investigation of semiconductor single crystal microplasticity Article published earlier |
| spellingShingle | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. |
| title | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_alt | Arrangement for investigation of semiconductor single crystal microplasticity |
| title_full | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_fullStr | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_full_unstemmed | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_short | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_sort | установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168075 |
| work_keys_str_mv | AT nadtočiiva ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov AT nečvolodnk ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov AT moskalʹds ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov AT nadtočiiva arrangementforinvestigationofsemiconductorsinglecrystalmicroplasticity AT nečvolodnk arrangementforinvestigationofsemiconductorsinglecrystalmicroplasticity AT moskalʹds arrangementforinvestigationofsemiconductorsinglecrystalmicroplasticity |