Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов
Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, вре...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Москаль, Д.С. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168075 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
von: Уколов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Уколов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Установка для исследования свойств нераспыляемого геттера
von: Гревцев, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Гревцев, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
von: Москаль, Д.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Москаль, Д.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Корреляции низкотемпературных аномалий микропластичности со структурными превращениями в кристаллах С₆₀
von: Фоменко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
von: Фоменко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (1995)
Установка для исследования радиационных пластических характеристик топливных материалов
von: Павлий, К.В.
Veröffentlicht: (2010)
von: Павлий, К.В.
Veröffentlicht: (2010)
Установка для исследования воздействия потока электронов на деформацию металлов
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Процессы микропластичности при высокочастотном механическом нагружении аустенитной стали с остаточным мартенситом
von: Соколенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Соколенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
von: Надточий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Надточий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
von: Надточий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Надточий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Boiko, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Boiko, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ударная установка для исследования газодинамических процессов в приборах снижения уровня звука выстрела
von: Коновалов, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Коновалов, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Rogov, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Rogov, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Установка комплексного исследования свойств материалов в неравновесных условиях
von: Минаков, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Минаков, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2015)
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2015)
Экспериментальная установка для исследования процессов утилизации дисперсных частиц в двухфазном потоке
von: Басок, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Басок, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Экспериментальная установка для исследования процессов очистки газовых потоков от жидких высокодисперсных частиц
von: Рыжков, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Рыжков, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Установка для исследований агрегатов микрогэс
von: Дедков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дедков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Экспериментальная установка для получения кластерных пучков
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Экспериментальная установка для анализа вторичных нейтральных частиц
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Рентгеновские исследования эффектов интеркаляции кристаллов фуллерита С₆₀ атомами Ne
von: Легченкова, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Легченкова, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Установка для исследований высокотеплопроводных материалов
von: Мурованная, Л.С.
Veröffentlicht: (2004)
von: Мурованная, Л.С.
Veröffentlicht: (2004)
Установка для поверки актинометрических приборов
von: Иванов, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Иванов, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Установка для деформирования волочением в криогенных условиях
von: Волчок, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Волчок, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Высокопроизводительная вакуумно-дуговая установка для осаждения покрытий
von: Аксёнов, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Аксёнов, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Методика и установка для исследования композиционных материалов при кручении в условиях температур до 3300 К
von: Дзюба, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дзюба, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Двухпостовая установка для ТИГ сварки меди
von: Грановский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Грановский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Новая установка для ошиповки поверхностей нагрева
von: Жук, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Жук, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Установка толстослойного анодирования алюминия
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Экспериментальная установка для тестирования ВЧ-источников ионов
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Возный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Коґенерационная установка для теплоснабжения тепличного хозяйства
von: Дубровская, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дубровская, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
von: Уколов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Установка для исследования свойств нераспыляемого геттера
von: Гревцев, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)