Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168082 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862618616745164800 |
|---|---|
| author | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Голоденко, Н.Н. |
| author_facet | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Голоденко, Н.Н. |
| citation_txt | Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие деформации и снижается время жизни неравновесных носителей заряда. Термообработка кристаллов в интервале 400−900 K сопровождается генерацией дислокаций на гетерогенных источниках в более глубоких слоях и отжигом ТД.
Influence of low-temperature deformation with simultaneous ultrasonic (US) irradiation on recombination properties and conductivity of Ge subsurface layers was studied. Deformation at 300 K causes arising of dislocations and point defects (PD) in the subsurface layer where the donor effecting of deformation becomes apparent and the lifetime of nonequilibrium charge carriers is reduced. Thermal treatment of chips in the interval 400−900 K is accompanied by generation of dislocations on heterogeneous sources in more deep layers and by the annealing of PD.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:14:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168082 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:14:10Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Голоденко, Н.Н. 2020-04-21T13:10:03Z 2020-04-21T13:10:03Z 2004 Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.–w https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168082 Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие деформации и снижается время жизни неравновесных носителей заряда. Термообработка кристаллов в интервале 400−900 K сопровождается генерацией дислокаций на гетерогенных источниках в более глубоких слоях и отжигом ТД. Influence of low-temperature deformation with simultaneous ultrasonic (US) irradiation on recombination properties and conductivity of Ge subsurface layers was studied. Deformation at 300 K causes arising of dislocations and point defects (PD) in the subsurface layer where the donor effecting of deformation becomes apparent and the lifetime of nonequilibrium charge carriers is reduced. Thermal treatment of chips in the interval 400−900 K is accompanied by generation of dislocations on heterogeneous sources in more deep layers and by the annealing of PD. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках Зміна часу життя носіїв заряду і провідності дефектного приповерхневого шару Ge при термообробці Article published earlier |
| spellingShingle | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Голоденко, Н.Н. |
| title | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| title_alt | Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках Зміна часу життя носіїв заряду і провідності дефектного приповерхневого шару Ge при термообробці |
| title_full | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| title_fullStr | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| title_full_unstemmed | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| title_short | Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| title_sort | changes in lifetime of charge carriers and in ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168082 |
| work_keys_str_mv | AT nadtočiiva changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment AT nečvolodnk changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment AT golodenkonn changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment AT nadtočiiva izmenenievremenižizninositeleizarâdaiprovodimostidefektnogopripoverhnostnogosloâgepritermoobrabotkah AT nečvolodnk izmenenievremenižizninositeleizarâdaiprovodimostidefektnogopripoverhnostnogosloâgepritermoobrabotkah AT golodenkonn izmenenievremenižizninositeleizarâdaiprovodimostidefektnogopripoverhnostnogosloâgepritermoobrabotkah AT nadtočiiva zmínačasužittânosíívzarâduíprovídnostídefektnogopripoverhnevogošarugepritermoobrobcí AT nečvolodnk zmínačasužittânosíívzarâduíprovídnostídefektnogopripoverhnevogošarugepritermoobrobcí AT golodenkonn zmínačasužittânosíívzarâduíprovídnostídefektnogopripoverhnevogošarugepritermoobrobcí |