Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2004
• Main Authors: Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Голоденко, Н.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168082
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...