Зображення обкладинки

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика и техника высоких давлений
Дата:	2004
Автори:	Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Голоденко, Н.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168082
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of polymeric covering and magnet treatment over carriers&#039; lifetime in silicon that is used in solar energy industry
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
за авторством: B. V. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2017)

The Role of Inhomogeneous Deformation and Correlation of Subsurface Defects in Grazing X-Ray Diffraction
за авторством: Ju. Gaevskij, та інші
Опубліковано: (2014)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Detection of planar subsurface defects in fiberglass plastic composite panels by optical-acoustic method
за авторством: L. I. Muravskyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Detection of subsurface local defects of metallic structures using the method of correlation signal processing
за авторством: Ya. P. Kulynych, та інші
Опубліковано: (2013)

Dynamical Theory of Grazing Diffuse Scattering of X-Rays by a Crystal with Subsurface Defects
за авторством: Ju. Gaevskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Localization of elongated subsurface defects in case of movement of the primary field source on the surface of metallic product
за авторством: I. I. Tryhub
Опубліковано: (2016)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: Karasevskii, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: A. I. Karasevskii, та інші
Опубліковано: (2015)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of structure defects on the lattice thermal conductivity of zn-cd-sb thermoelectric materials
за авторством: P. V. Horskyi
Опубліковано: (2017)

Effect of structure defects on the lattice thermal conductivity of zn-cd-sb thermoelectric materials
за авторством: P. V. Gorskij
Опубліковано: (2017)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Photogeneration of charge carriers in thin films of PEPC–S60 nanocomposites
за авторством: M. A. Zabolotnyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)