Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Тихомирова, Г.В., Бабушкин, А.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168098
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 52-55. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление меняется во времени по экспоненциальному закону. Характерные времена релаксации составляют десятки секунд. В окрестности переходов наблюдаются существенные отклонения от монотонности. The time dependences of resistance of the conducting states of NH4X (X = F, Cl, Br) was studied. At the pressures essentially exceeding pressures of transition to conducting states the resistance varies with time exponentially. Typical relaxation times exceed tens seconds. In the vicinity of transitions essential deviations from monotony are observed.