Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

• Опубліковано в: : Журнал физики и инженерии поверхности
• Дата: 2018
• Автор: Быткин, С.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения. В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення. The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown.