Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
1. Verfasser: Быткин, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
Schriftenreihe:Журнал физики и инженерии поверхности
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168187
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1681872025-02-23T18:51:42Z Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений Експериментально-статистичне моделювання застосування радіаційно-технологічних процесів (РТП) для уповільнення деградації UOL біполярних інтегральних мікросхем (ІМС) у полях іонізуючих випромінювань Experimental and statistical modeling of the application of radiation technological processes (RTP) for decelaration of bipolar integral circuits (IC) UOL degradation in the fields of ionizing radiations Быткин, С.В. В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения. В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення. The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown. 2018 Article Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187 662.61.537.66.092 ru Журнал физики и инженерии поверхности application/pdf Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения.
format Article
author Быткин, С.В.
spellingShingle Быткин, С.В.
Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet Быткин, С.В.
author_sort Быткин, С.В.
title Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_short Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_full Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_fullStr Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_full_unstemmed Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_sort экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации uol биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2018
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187
citation_txt Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv AT bytkinsv éksperimentalʹnostatističeskoemodelirovanieprimeneniâradiacionnotehnologičeskihprocessovdlâzamedleniâdegradaciiuolbipolârnyhintegralʹnyhmikroshemvpolâhioniziruûŝihzlučenij
AT bytkinsv eksperimentalʹnostatističnemodelûvannâzastosuvannâradíacíjnotehnologíčnihprocesívrtpdlâupovílʹnennâdegradacííuolbípolârnihíntegralʹnihmíkroshemímsupolâhíonízuûčihvipromínûvanʹ
AT bytkinsv experimentalandstatisticalmodelingoftheapplicationofradiationtechnologicalprocessesrtpfordecelarationofbipolarintegralcircuitsicuoldegradationinthefieldsofionizingradiations
first_indexed 2025-11-24T11:45:45Z
last_indexed 2025-11-24T11:45:45Z
_version_ 1849672068483776512

Ähnliche Einträge