Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862537674509778944 |
|---|---|
| author | Быткин, С.В. |
| author_facet | Быткин, С.В. |
| citation_txt | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения.
В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення.
The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown.
|
| first_indexed | 2025-11-24T11:45:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168187 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T11:45:45Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Быткин, С.В. 2020-04-24T18:16:38Z 2020-04-24T18:16:38Z 2018 Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187 662.61.537.66.092 В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения. В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення. The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений Експериментально-статистичне моделювання застосування радіаційно-технологічних процесів (РТП) для уповільнення деградації UOL біполярних інтегральних мікросхем (ІМС) у полях іонізуючих випромінювань Experimental and statistical modeling of the application of radiation technological processes (RTP) for decelaration of bipolar integral circuits (IC) UOL degradation in the fields of ionizing radiations Article published earlier |
| spellingShingle | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений Быткин, С.В. |
| title | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| title_alt | Експериментально-статистичне моделювання застосування радіаційно-технологічних процесів (РТП) для уповільнення деградації UOL біполярних інтегральних мікросхем (ІМС) у полях іонізуючих випромінювань Experimental and statistical modeling of the application of radiation technological processes (RTP) for decelaration of bipolar integral circuits (IC) UOL degradation in the fields of ionizing radiations |
| title_full | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| title_fullStr | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| title_full_unstemmed | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| title_short | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| title_sort | экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации uol биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187 |
| work_keys_str_mv | AT bytkinsv éksperimentalʹnostatističeskoemodelirovanieprimeneniâradiacionnotehnologičeskihprocessovdlâzamedleniâdegradaciiuolbipolârnyhintegralʹnyhmikroshemvpolâhioniziruûŝihzlučenii AT bytkinsv eksperimentalʹnostatističnemodelûvannâzastosuvannâradíacíinotehnologíčnihprocesívrtpdlâupovílʹnennâdegradacííuolbípolârnihíntegralʹnihmíkroshemímsupolâhíonízuûčihvipromínûvanʹ AT bytkinsv experimentalandstatisticalmodelingoftheapplicationofradiationtechnologicalprocessesrtpfordecelarationofbipolarintegralcircuitsicuoldegradationinthefieldsofionizingradiations |