Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

• Datum: 2018
• 1. Verfasser: Быткин, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
• Schriftenreihe: Журнал физики и инженерии поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168187
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного...