Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS»
Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне виріше...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168188 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862582343502397440 |
|---|---|
| author | Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. |
| author_facet | Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. |
| citation_txt | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне вирішення проблеми отримання КТ напівпровідникових матеріалів з відповідними контрольованими властивостями в значній мірі залежить від вибору середовища, в якому реалізується їх синтез. Інкапсуляція наночастинок або введення їх у хімічно інертну матрицю дає можливість не тільки ізолювати КТ від хімічно активного середовища, а й отримати систему наночастинок з певними заданими розмірами (розмірами пор матриці). Саме тому, перспективним матеріалом матриці є нанопористий вуглецевий матеріал (НВМ), який є хімічно інертним для більшості лугів і кислот, і в якому можна отримувати необхідні розміри пор для впровадження КТ.
Квантовые точки (КТ) на сегодня являются объектами интенсивных исследований многих научных групп. КТ полупроводниковых соединений A²B⁶ привлекают особое внимание благодаря возможности управлять размерами КТ в процессе их синтеза, дает возможность получить необходимые электронные и оптические свойства. Успешное решение проблемы получения КТ полупроводниковых материалов с соответствующими контролируемыми свойствами в значительной степени зависит от выбора среды, в которой реализуется их синтез. Инкапсуляция наночастиц или введение их в химически инертную матрицу дает возможность не только изолировать КТ от химически активной среды, но и получить систему наночастиц с определенными заданными размерами (размерами пор матрицы). Именно поэтому, перспективным материалом матрицы является нанопористый углеродный материал (НУМ), который является химически инертным для большинства щелочей и кислот, и в котором можно получать необходимые размеры пор для внедрения КТ.
Quantum dots (QDs) today are the objects of intense research of many scientific groups. QDs semiconductor compounds A²B⁶ attract special attention due to the ability to control the size of QDs in the process of their synthesis, which gives the opportunity to obtain the necessary electronic and optical properties. Successful solution to the problem of obtaining QDs semiconductor materials with appropriate controllable properties largely depends on the choice of environment in which their synthesis is realized. Encapsulation of nanoparticles or introducing them into a chemically inert matrix makes it possible not only to isolate QDs from a chemically active medium, but also to obtain a system of nanoparticles with certain given sizes (pore size matrices). For this reason, the promising material of the matrix is a nanoporous carbon material (NCM) that is chemically inert to most alkalis and acids, and in which it is possible to obtain the required pore sizes for the introduction of QDs.
|
| first_indexed | 2025-11-26T23:02:18Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168188 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T23:02:18Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. 2020-04-24T18:19:14Z 2020-04-24T18:19:14Z 2018 Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» / С.Д. Бардашевська, І.М. Будзуляк, Б.І. Рачій, С.І. Будзуляк // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 37-45. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168188 536.2, 538.9, 53.06 Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне вирішення проблеми отримання КТ напівпровідникових матеріалів з відповідними контрольованими властивостями в значній мірі залежить від вибору середовища, в якому реалізується їх синтез. Інкапсуляція наночастинок або введення їх у хімічно інертну матрицю дає можливість не тільки ізолювати КТ від хімічно активного середовища, а й отримати систему наночастинок з певними заданими розмірами (розмірами пор матриці). Саме тому, перспективним матеріалом матриці є нанопористий вуглецевий матеріал (НВМ), який є хімічно інертним для більшості лугів і кислот, і в якому можна отримувати необхідні розміри пор для впровадження КТ. Квантовые точки (КТ) на сегодня являются объектами интенсивных исследований многих научных групп. КТ полупроводниковых соединений A²B⁶ привлекают особое внимание благодаря возможности управлять размерами КТ в процессе их синтеза, дает возможность получить необходимые электронные и оптические свойства. Успешное решение проблемы получения КТ полупроводниковых материалов с соответствующими контролируемыми свойствами в значительной степени зависит от выбора среды, в которой реализуется их синтез. Инкапсуляция наночастиц или введение их в химически инертную матрицу дает возможность не только изолировать КТ от химически активной среды, но и получить систему наночастиц с определенными заданными размерами (размерами пор матрицы). Именно поэтому, перспективным материалом матрицы является нанопористый углеродный материал (НУМ), который является химически инертным для большинства щелочей и кислот, и в котором можно получать необходимые размеры пор для внедрения КТ. Quantum dots (QDs) today are the objects of intense research of many scientific groups. QDs semiconductor compounds A²B⁶ attract special attention due to the ability to control the size of QDs in the process of their synthesis, which gives the opportunity to obtain the necessary electronic and optical properties. Successful solution to the problem of obtaining QDs semiconductor materials with appropriate controllable properties largely depends on the choice of environment in which their synthesis is realized. Encapsulation of nanoparticles or introducing them into a chemically inert matrix makes it possible not only to isolate QDs from a chemically active medium, but also to obtain a system of nanoparticles with certain given sizes (pore size matrices). For this reason, the promising material of the matrix is a nanoporous carbon material (NCM) that is chemically inert to most alkalis and acids, and in which it is possible to obtain the required pore sizes for the introduction of QDs. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» Получение и свойства системы «нанопористый углеродный материал – квантовые точки CdS» Obtaining and properties of the system «nanoparticle carbon material – CdS quantum dots» Article published earlier |
| spellingShingle | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» Бардашевська, С.Д. Будзуляк, І.М. Рачій, Б.І. Будзуляк, С.І. |
| title | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
| title_alt | Получение и свойства системы «нанопористый углеродный материал – квантовые точки CdS» Obtaining and properties of the system «nanoparticle carbon material – CdS quantum dots» |
| title_full | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
| title_fullStr | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
| title_full_unstemmed | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
| title_short | Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS» |
| title_sort | отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки cds» |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168188 |
| work_keys_str_mv | AT bardaševsʹkasd otrimannâtavlastivostísisteminanoporistiivugleceviimateríalkvantovítočkicds AT budzulâkím otrimannâtavlastivostísisteminanoporistiivugleceviimateríalkvantovítočkicds AT račíibí otrimannâtavlastivostísisteminanoporistiivugleceviimateríalkvantovítočkicds AT budzulâksí otrimannâtavlastivostísisteminanoporistiivugleceviimateríalkvantovítočkicds AT bardaševsʹkasd polučenieisvoistvasistemynanoporistyiuglerodnyimaterialkvantovyetočkicds AT budzulâkím polučenieisvoistvasistemynanoporistyiuglerodnyimaterialkvantovyetočkicds AT račíibí polučenieisvoistvasistemynanoporistyiuglerodnyimaterialkvantovyetočkicds AT budzulâksí polučenieisvoistvasistemynanoporistyiuglerodnyimaterialkvantovyetočkicds AT bardaševsʹkasd obtainingandpropertiesofthesystemnanoparticlecarbonmaterialcdsquantumdots AT budzulâkím obtainingandpropertiesofthesystemnanoparticlecarbonmaterialcdsquantumdots AT račíibí obtainingandpropertiesofthesystemnanoparticlecarbonmaterialcdsquantumdots AT budzulâksí obtainingandpropertiesofthesystemnanoparticlecarbonmaterialcdsquantumdots |