Быткин, С., & Критская, Т. (2018). Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами. Журнал физики и инженерии поверхности.
Chicago Style (17th ed.) CitationБыткин, С.В, and Т.В Критская. "Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами." Журнал физики и инженерии поверхности 2018.
MLA (8th ed.) CitationБыткин, С.В, and Т.В Критская. "Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами." Журнал физики и инженерии поверхности, 2018.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.