Быткин, С., & Критская, Т. (2018). Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами. Журнал физики и инженерии поверхности.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Быткин, С.В, та Т.В Критская. "Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами." Журнал физики и инженерии поверхности 2018.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Быткин, С.В, та Т.В Критская. "Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами." Журнал физики и инженерии поверхности, 2018.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.