Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168192 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862608560704192512 |
|---|---|
| author | Быткин, С.В. Критская, Т.В. |
| author_facet | Быткин, С.В. Критская, Т.В. |
| citation_txt | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры.
Проведено розрахунок ймовірності утворення А-, Е-, К-центрів в CZ nSi і nSiGe c використанням раніше отриманих емпіричних S-подібних залежностей накопичення домішково-дефектних комплексів від інтегрального потоку α-частинок. Встановлено, що ймовірність захоплення вакансій атомами міжвузлового кисню в SiGe нелінійно залежить від дози опромінення, причому її інтегральне значення в діапазоні Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ см⁻² істотно нижче, ніж у контрольних зразках nSi. Отримані результати пояснюються застосуванням відомих у літературі моделей. Змінювання ймовірності утворення дефектів добре корелює з даними про деградацію часу життя інжектованих неосновних носіїв заряду в базі p⁺n структури.
The probability of A-, E-, K-centers formation in CZ nSi and nSiGe using the previously obtained empirical S-shaped dependences of the accumulation of impurity-defect complexes on the integral flux of α-particles was calculated. Shown, that the probability of vacancy trapping by atoms of interstitial oxygen in SiGe depends nonlinearly on the irradiation dose, and its integral value in the range Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ cm⁻² was much lower than in control nSi samples. The results explained using models available in the literature. The change of the defect formation probability correlates well with the data on the lifetime degradation of the injected minority charge carriers in the base of the p⁺n structure.
|
| first_indexed | 2025-11-28T17:43:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168192 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T17:43:35Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Быткин, С.В. Критская, Т.В. 2020-04-24T19:59:15Z 2020-04-24T19:59:15Z 2018 Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168192 53.09 Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры. Проведено розрахунок ймовірності утворення А-, Е-, К-центрів в CZ nSi і nSiGe c використанням раніше отриманих емпіричних S-подібних залежностей накопичення домішково-дефектних комплексів від інтегрального потоку α-частинок. Встановлено, що ймовірність захоплення вакансій атомами міжвузлового кисню в SiGe нелінійно залежить від дози опромінення, причому її інтегральне значення в діапазоні Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ см⁻² істотно нижче, ніж у контрольних зразках nSi. Отримані результати пояснюються застосуванням відомих у літературі моделей. Змінювання ймовірності утворення дефектів добре корелює з даними про деградацію часу життя інжектованих неосновних носіїв заряду в базі p⁺n структури. The probability of A-, E-, K-centers formation in CZ nSi and nSiGe using the previously obtained empirical S-shaped dependences of the accumulation of impurity-defect complexes on the integral flux of α-particles was calculated. Shown, that the probability of vacancy trapping by atoms of interstitial oxygen in SiGe depends nonlinearly on the irradiation dose, and its integral value in the range Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ cm⁻² was much lower than in control nSi samples. The results explained using models available in the literature. The change of the defect formation probability correlates well with the data on the lifetime degradation of the injected minority charge carriers in the base of the p⁺n structure. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p⁺n структур при опроміненні α-частинками Effect of isovalent doping of Si by germanium on the impurity-defect complexes formation probability in the p⁺n structures base irradiated by α-particles Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами Быткин, С.В. Критская, Т.В. |
| title | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| title_alt | Вплив ізовалентного легування Si германієм на ймовірність утворення домішково-дефектних комплексів у базі p⁺n структур при опроміненні α-частинками Effect of isovalent doping of Si by germanium on the impurity-defect complexes formation probability in the p⁺n structures base irradiated by α-particles |
| title_full | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| title_fullStr | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| title_full_unstemmed | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| title_short | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| title_sort | влияние изовалентного легирования si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168192 |
| work_keys_str_mv | AT bytkinsv vliânieizovalentnogolegirovaniâsigermaniemnaveroâtnostʹobrazovaniâprimesnodefektnyhkompleksovvbazepnstrukturprioblučeniiαčasticami AT kritskaâtv vliânieizovalentnogolegirovaniâsigermaniemnaveroâtnostʹobrazovaniâprimesnodefektnyhkompleksovvbazepnstrukturprioblučeniiαčasticami AT bytkinsv vplivízovalentnogoleguvannâsigermaníêmnaimovírnístʹutvorennâdomíškovodefektnihkompleksívubazípnstrukturpriopromínenníαčastinkami AT kritskaâtv vplivízovalentnogoleguvannâsigermaníêmnaimovírnístʹutvorennâdomíškovodefektnihkompleksívubazípnstrukturpriopromínenníαčastinkami AT bytkinsv effectofisovalentdopingofsibygermaniumontheimpuritydefectcomplexesformationprobabilityinthepnstructuresbaseirradiatedbyαparticles AT kritskaâtv effectofisovalentdopingofsibygermaniumontheimpuritydefectcomplexesformationprobabilityinthepnstructuresbaseirradiatedbyαparticles |