Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами - Быткин, С.В.; Критская, Т.В. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2018)
Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры. Проведено розрахунок ймовірності утворення А-, Е-, К-центрів в CZ nSi і nSiGe c використанням раніше отриманих емпіричних S-подібних залежностей накопичення домішково-дефектних комплексів від інтегрального потоку α-частинок. Встановлено, що ймовірність захоплення вакансій атомами міжвузлового кисню в SiGe нелінійно залежить від дози опромінення, причому її інтегральне значення в діапазоні Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ см⁻² істотно нижче, ніж у контрольних зразках nSi. Отримані результати пояснюються застосуванням відомих у літературі моделей. Змінювання ймовірності утворення дефектів добре корелює з даними про деградацію часу життя інжектованих неосновних носіїв заряду в базі p⁺n структури. The probability of A-, E-, K-centers formation in CZ nSi and nSiGe using the previously obtained empirical S-shaped dependences of the accumulation of impurity-defect complexes on the integral flux of α-particles was calculated. Shown, that the probability of vacancy trapping by atoms of interstitial oxygen in SiGe depends nonlinearly on the irradiation dose, and its integral value in the range Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ cm⁻² was much lower than in control nSi samples. The results explained using models available in the literature. The change of the defect formation probability correlates well with the data on the lifetime degradation of the injected minority charge carriers in the base of the p⁺n structure.