Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда

• Published in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Date: 2018
• Main Author: Хайдаров, З.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168194
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка. Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage.