Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда
Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительног...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168194 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862639473969332224 |
|---|---|
| author | Хайдаров, З. |
| author_facet | Хайдаров, З. |
| citation_txt | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень.
Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка.
Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage.
|
| first_indexed | 2025-12-01T01:57:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168194 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T01:57:32Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хайдаров, З. 2020-04-24T20:03:52Z 2020-04-24T20:03:52Z 2018 Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168194 536.2, 538.9, 53.06 Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка. Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда Нерівноважні процеси на контакті напівпровідник - плазма газового розряду Nonequilibrium processes in contact of semiconductor – gas discharge plasma Article published earlier |
| spellingShingle | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда Хайдаров, З. |
| title | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_alt | Нерівноважні процеси на контакті напівпровідник - плазма газового розряду Nonequilibrium processes in contact of semiconductor – gas discharge plasma |
| title_full | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_fullStr | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_full_unstemmed | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_short | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_sort | неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168194 |
| work_keys_str_mv | AT haidarovz neravnovesnyeprocessynakontaktepoluprovodnikplazmagazovogorazrâda AT haidarovz nerívnovažníprocesinakontaktínapívprovídnikplazmagazovogorozrâdu AT haidarovz nonequilibriumprocessesincontactofsemiconductorgasdischargeplasma |