Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл

• Veröffentlicht in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Буранич, В.В., Шелест, И.В., Гончаров, А.А., Юнда, А.Н., Гончарова, С.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168200
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными факторами энергетической бомбардировки подложки, и сильно зависят от технологических особенностей распылительной системы. Проведено аналіз технологічних особливостей процесів DC- і RF- магнетронних розрядів. Встановлено, що відмінності в утворенні та підтримці плазмової оболонки по-різному впливають на матеріал, який розпорошується та на який осаджується покриття. Потенціали плазми і потоки частинок на підкладинку є основними факторами енергетичного бомбардування підкладинки, і сильно залежать від технологічних особливостей розпилювальної системи. The analysis of technological features of DC- and RF-magnetron discharges processes was carried out. It is shown that distinctions in the formation and maintenance of the plasma sheath have different effects on the sputtered and deposited material. Plasma potentials and particle fluxes onto the substrate are the main factors of the energy bombardment of the substrate, and are highly dependent on the technological features of the sputtering system.