Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл
Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными фактор...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168200 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679642144505856 |
|---|---|
| author | Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. |
| author_facet | Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. |
| citation_txt | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными факторами энергетической бомбардировки подложки, и сильно зависят от технологических особенностей распылительной системы.
Проведено аналіз технологічних особливостей процесів DC- і RF- магнетронних розрядів. Встановлено, що відмінності в утворенні та підтримці плазмової оболонки по-різному впливають на матеріал, який розпорошується та на який осаджується покриття. Потенціали плазми і потоки частинок на підкладинку є основними факторами енергетичного бомбардування підкладинки, і сильно залежать від технологічних особливостей розпилювальної системи.
The analysis of technological features of DC- and RF-magnetron discharges processes was carried out. It is shown that distinctions in the formation and maintenance of the plasma sheath have different effects on the sputtered and deposited material. Plasma potentials and particle fluxes onto the substrate are the main factors of the energy bombardment of the substrate, and are highly dependent on the technological features of the sputtering system.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:44:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168200 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:44:07Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. 2020-04-25T14:18:09Z 2020-04-25T14:18:09Z 2018 Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168200 621.739+548.735 Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными факторами энергетической бомбардировки подложки, и сильно зависят от технологических особенностей распылительной системы. Проведено аналіз технологічних особливостей процесів DC- і RF- магнетронних розрядів. Встановлено, що відмінності в утворенні та підтримці плазмової оболонки по-різному впливають на матеріал, який розпорошується та на який осаджується покриття. Потенціали плазми і потоки частинок на підкладинку є основними факторами енергетичного бомбардування підкладинки, і сильно залежать від технологічних особливостей розпилювальної системи. The analysis of technological features of DC- and RF-magnetron discharges processes was carried out. It is shown that distinctions in the formation and maintenance of the plasma sheath have different effects on the sputtered and deposited material. Plasma potentials and particle fluxes onto the substrate are the main factors of the energy bombardment of the substrate, and are highly dependent on the technological features of the sputtering system. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл Технологічні особливості DC та RF магнетронного розпорошення Technological features of DC and RF magnetron sputtering Article published earlier |
| spellingShingle | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. |
| title | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_alt | Технологічні особливості DC та RF магнетронного розпорошення Technological features of DC and RF magnetron sputtering |
| title_full | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_fullStr | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_full_unstemmed | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_short | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_sort | технологические особенности dc и rf магнетронного распыл |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168200 |
| work_keys_str_mv | AT buraničvv tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT šelestiv tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT gončarovaa tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT ûndaan tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT gončarovasa tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT buraničvv tehnologíčníosoblivostídctarfmagnetronnogorozporošennâ AT šelestiv tehnologíčníosoblivostídctarfmagnetronnogorozporošennâ AT gončarovaa tehnologíčníosoblivostídctarfmagnetronnogorozporošennâ AT ûndaan tehnologíčníosoblivostídctarfmagnetronnogorozporošennâ AT gončarovasa tehnologíčníosoblivostídctarfmagnetronnogorozporošennâ AT buraničvv technologicalfeaturesofdcandrfmagnetronsputtering AT šelestiv technologicalfeaturesofdcandrfmagnetronsputtering AT gončarovaa technologicalfeaturesofdcandrfmagnetronsputtering AT ûndaan technologicalfeaturesofdcandrfmagnetronsputtering AT gončarovasa technologicalfeaturesofdcandrfmagnetronsputtering |