Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами
В настоящей работе исследованы переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке. Рассмотрены вопросы задержки пробоя газового разряда в импульсном режиме работы ячейки и электростатические явления переходных процессов. Установлено, что время задержки пробоя зависит от интенси...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168202 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами / З. Хайдаров,Х.Т. Йулдашев // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 106-113. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862685280911228928 |
|---|---|
| author | Хайдаров, З. Йулдашев, Х.Т. |
| author_facet | Хайдаров, З. Йулдашев, Х.Т. |
| citation_txt | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами / З. Хайдаров,Х.Т. Йулдашев // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 106-113. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | В настоящей работе исследованы переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке. Рассмотрены вопросы задержки пробоя газового разряда в импульсном режиме работы ячейки и электростатические явления переходных процессов. Установлено, что время задержки пробоя зависит от интенсивности освещения полупроводника, длительности и величины импульса напряжения, а также состояния поверхностного заряда, то есть напряженности поля поверхностных зарядов.
У роботі досліджені перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці. Розглянуто питання затримки пробою газового розряду в імпульсному режимі роботи комірки та електростатичні явища перехідних процесів. Встановлено, що час затримки пробою залежить від інтенсивності освітлення напівпровідника, тривалості та величини імпульсу напруги, а також стану поверхневого заряду, тобто напруженості поля поверхневих зарядів.
In this paper, transient photoelectric processes in a hyperfine gas-discharge cell were investigated. The issues of delay of the gas discharge breakdown in the pulsed mode of the cell operation and the electrostatic phenomena of the transient processes are considered. It is established that the breakdown delay time depends on the semiconductor illumination intensity, the duration and magnitude of the voltage pulse, and also the state of the surface charge, that is, the field strength of the surface charges.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:00:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168202 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:00:39Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хайдаров, З. Йулдашев, Х.Т. 2020-04-25T14:23:41Z 2020-04-25T14:23:41Z 2018 Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами / З. Хайдаров,Х.Т. Йулдашев // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 106-113. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168202 621.393.3:621.382:621.385 В настоящей работе исследованы переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке. Рассмотрены вопросы задержки пробоя газового разряда в импульсном режиме работы ячейки и электростатические явления переходных процессов. Установлено, что время задержки пробоя зависит от интенсивности освещения полупроводника, длительности и величины импульса напряжения, а также состояния поверхностного заряда, то есть напряженности поля поверхностных зарядов. У роботі досліджені перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці. Розглянуто питання затримки пробою газового розряду в імпульсному режимі роботи комірки та електростатичні явища перехідних процесів. Встановлено, що час затримки пробою залежить від інтенсивності освітлення напівпровідника, тривалості та величини імпульсу напруги, а також стану поверхневого заряду, тобто напруженості поля поверхневих зарядів. In this paper, transient photoelectric processes in a hyperfine gas-discharge cell were investigated. The issues of delay of the gas discharge breakdown in the pulsed mode of the cell operation and the electrostatic phenomena of the transient processes are considered. It is established that the breakdown delay time depends on the semiconductor illumination intensity, the duration and magnitude of the voltage pulse, and also the state of the surface charge, that is, the field strength of the surface charges. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами Перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці з напівпровідниковими електродами Transition photoelectric processes in a superfluid gas-discharge cell with semiconductor electrodes Article published earlier |
| spellingShingle | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами Хайдаров, З. Йулдашев, Х.Т. |
| title | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| title_alt | Перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці з напівпровідниковими електродами Transition photoelectric processes in a superfluid gas-discharge cell with semiconductor electrodes |
| title_full | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| title_fullStr | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| title_full_unstemmed | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| title_short | Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| title_sort | переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168202 |
| work_keys_str_mv | AT haidarovz perehodnyefotoélektričeskieprocessyvsverhtonkoigazorazrâdnoiâčeikespoluprovodnikovymiélektrodami AT iuldaševht perehodnyefotoélektričeskieprocessyvsverhtonkoigazorazrâdnoiâčeikespoluprovodnikovymiélektrodami AT haidarovz perehídnífotoelektričníprocesivnadtonkíigazorozrâdníikomírcíznapívprovídnikovimielektrodami AT iuldaševht perehídnífotoelektričníprocesivnadtonkíigazorozrâdníikomírcíznapívprovídnikovimielektrodami AT haidarovz transitionphotoelectricprocessesinasuperfluidgasdischargecellwithsemiconductorelectrodes AT iuldaševht transitionphotoelectricprocessesinasuperfluidgasdischargecellwithsemiconductorelectrodes |