Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

• Опубліковано в: : Реєстрація, зберігання і обробка даних
• Дата: 2018
• Автори: Суховій, Н.О., Ляхова, Н.М., Масол, І.В., Осінський, В.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2018
• Теми: Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168761
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр.

Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів. Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов. It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit.