Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей

Изучены особенности процесса нанесения аморфного алмазоподобного углеродного покрытия на облученную электронами и тяжелыми многозарядными ионами поверхность кремниевого фотопреобразователя с квантовыми нитями. Приведены экспериментальные результаты исследований оптических характеристик гидрогенизиро...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Ефимов, В.П., Абызов, А.С., Лучанинов, А.А., Омаров, А.О., Стрельницкий, В.Е.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Schlagworte:	Применение ускорителей
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17040
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей / В.П. Ефимов, А.С. Абызов, А.А. Лучанинов, А.О. Омаров, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 173-176. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859557970483871744
author	Ефимов, В.П. Абызов, А.С. Лучанинов, А.А. Омаров, А.О. Стрельницкий, В.Е.
author_facet	Ефимов, В.П. Абызов, А.С. Лучанинов, А.А. Омаров, А.О. Стрельницкий, В.Е.
citation_txt	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей / В.П. Ефимов, А.С. Абызов, А.А. Лучанинов, А.О. Омаров, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 173-176. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
collection	DSpace DC
description	Изучены особенности процесса нанесения аморфного алмазоподобного углеродного покрытия на облученную электронами и тяжелыми многозарядными ионами поверхность кремниевого фотопреобразователя с квантовыми нитями. Приведены экспериментальные результаты исследований оптических характеристик гидрогенизированных алмазоподобных легированных азотом а-С:(Н,N)-покрытий. Выполнена оптимизация параметров осаждения а-С:(Н,N)-покрытий на разупорядоченные структуры кремниевых полупроводников для достижения минимального коэффициента отражения света от фронтальной поверхности кристалла и обеспечения его механической защиты. Вивчено особливості процесу нанесення аморфного алмазоподібного вуглецевого покриття на поверхню кремнієвого фотоперетворювача із квантовими нитками, яку було опромінено електронами та важкими багатозарядними іонами. Наведено експериментальні результати досліджень оптичних характеристик гідрогенізованих алмазоподібних легованих азотом а-С:(Н,N)-покриттів. Виконано оптимізацію параметрів осадження а-С:(Н,N)-покриттів на розупорядковані структури кремнієвих напівпровідників з метою досягнення мінімального коефіцієнту віддзеркалення світла від фронтальної поверхні кристала та забезпечення його механічної міцності. The peculiarity of the process of amorphous diamond-like carbon coating deposition on the surface of Si photo-electric cell with quantum filaments, which was irradiated by the electrons and heavy multi-charge ions, have been investigated. The experimental results on the investigations of the optical characteristics of the nitrogen doped hydrogenated diamond-like carbon а-С:(Н,N) coatings were presented. The parameters of the process of а-С:(Н,N) coating deposition on the surfaces of disordered Si semiconductors structures were optimized for the purpose of minimizing optical reflection coefficient from the front surface of the crystal and supplying its mechanical durability.
first_indexed	2025-11-26T13:28:30Z
format	Article
fulltext	УДК 621.3.049.77 СИСТЕМА КВАНТОВЫХ СТРУКТУР С АЛМАЗОПОДОБНЫМ УГЛЕРОДНЫМ ПОКРЫТИЕМ ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В.П. Ефимов, А.С. Абызов, А.А. Лучанинов, А.О. Омаров, В.Е. Стрельницкий Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт», Харьков, Украина Изучены особенности процесса нанесения аморфного алмазоподобного углеродного покрытия на облу- ченную электронами и тяжелыми многозарядными ионами поверхность кремниевого фотопреобразователя с квантовыми нитями. Приведены экспериментальные результаты исследований оптических характеристик гидрогенизированных алмазоподобных легированных азотом а-С:(Н,N)-покрытий. Выполнена оптимизация параметров осаждения а-С:(Н,N)-покрытий на разупорядоченные структуры кремниевых полупроводников для достижения минимального коэффициента отражения света от фронтальной поверхности кристалла и обеспечения его механической защиты. 1. ВВЕДЕНИЕ На заключительном этапе технологического процесса создания кремниевых фотопреобразовате- лей с квантовыми нитями [1] на фронтальную по- верхность эмиттера наносится алмазоподобное по- крытие углерода, снижающее коэффициент отраже- ния света от поверхности и обеспечивающее меха- ническую защиту фотопреобразователя от факторов окружающей среды. В общем случае для полупро- водника произвольной толщины δ при определении скорости фотогенерации электронно-дырочных пар справедливо выражение [1]: ( ) ( ) αβ − = × ⎡ ⎤ν − − αδ⎣ ⎦ 2 1 1 exp 2 oI R g h R ( ) ( ){ }⎡ ⎤× −α + −α δ −⎣ ⎦exp exp 2x R x , (1) где R, x – коэффициент отражения света от кристал- ла и расстояние от освещенной поверхности образца соответственно. Число (n–р)-пар, генерируемых в единице объема за единицу времени фотонами с энергией hν, равно /I hα β ν , где 0 exp( )I I x= − ____________________________________________________________ PROBLEMS OF ATOMIC SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2010. № 3. Series: Nuclear Physics Investigations (54), p.173-176. 173 α – закон поглощения света в структуре образца; α – коэффициент поглощения света. При протяженной области поглощения фотонов в кремнии 1/α(λ) и толщине эмиттера и базы δ>>1/α(λ) сбор носителей заряда происходит с рас- стояния, равного диффузионной длине неосновных носителей заряда Ln, Lp, собранный ток 1( )( ( )) ( )( )p n n pI qS F R L L−= λ − λ α λ + , (2) где Sp-n − площадь перехода; F(λ)-спектральная плотность потока солнечного излучения. Как известно, кремний без нанесенного покры- тия в зависимости от состояния его структуры обла- дает коэффициентом отражения ∼35…50%. Моно- слойное покрытие из алмазоподобной структуры углерода (DLC) может значительно снизить коэф- фициент отражения света и тем самым улучшить свойства Si-фотопреобразователей за счет дополни- тельного ввода светового излучения в объем полу- проводника. 2. КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ОСОБЕННОСТИ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ Квантовые структуры предназначены для стока носителей заряда из объема кремниевого фотопре- образователя. Ввод солнечного излучения осущест- вляется через просветляющее покрытие на его фронтальной поверхности (см. Рис.1,2). Рис.1. Микрофотографии поперечного среза (квантовые структуры) и фронтальной поверхности образцов (c-Si)-полупроводника после облучения дозой 1800 Мрад на ускорителе ”ЭПОС” и гидрирования Н2 Рис.2. Формат структуры фотопреобразователя солнечного излучения в электрическую энергию с повышенной величиной КПД Для качественного просветляющего покрытия минимальное значение коэффициента отражения системы пленка (толщина h)+подложка из кремния на длине волны λ достигается при оптической тол- щине nh=λ/4, и в отсутствие поглощения определя- ется выражением [2]: 22 0 2 0 s s n n nR n n n ⎛ − = ⎜ +⎝ ⎠ ⎞ ⎟ , (3) где R – коэффициент отражения; n0 – показатель преломления воздуха; n – показатель преломления плёнки; ns – показатель преломления подложки. Из уравнения (3) следует, что основным услови- ем для просветления покрытий является соотноше- ние n2=ns. Учитывая, что показатель преломления кремния в оптическом диапазоне составляет ns = 3.6, то оптимальным показателем для плёнки является n=1.8…2. Наиболее подходящим прозрачным угле- родным материалом является гидрогенизированный алмазоподобный углерод. Гидрогенизированные алмазоподобные а-С:Н-покрытия рассматриваются в качестве перспективных защитных просветляющих покрытий для кремниевых солнечных элементов. Их показатель преломления, в зависимости от условий получения, составляет 1.5…2.1. Однако, несмотря на свою достаточно высокую твердость, а-С:Н- покрытия в видимом диапазоне света λ < 600 нм имеют слишком большой показатель поглощения k > 0,2, который при λ = 350 нм достигает своего мак- симума k = 0,4. Поэтому актуальной задачей являет- ся получение алмазоподобного покрытия, имеющего меньшее поглощение в видимом диапазоне. 174 Рис.3. Квантовая структура c-Si-кристалла, облу- ченного электронами и осколками ядер урана на ускорителе ”ЭПОС” дозой 3600 Мрад (200 ч). 1 – сторона входа в кристалл осколков ядер урана и электронов; 2 – сторона выхода электронов из кристалла Альтернативным вариантом решения поставлен- ной задачи является применение поликристалличе- ских алмазных покрытий. Показатель преломления алмаза составляет 2,3…2,4. В связи с этим мини- мально достижимый коэффициент отражения от кремния с алмазным просветляющим покрытием со- ставляет 3,2%. Тем не менее, высокая прозрачность, твердость и радиационная стойкость делают такие покрытия весьма привлекательными. Но минималь- ная температура формирования поликристаллических алмазных покрытий методом химического осаждения паров в СВЧ-разряде составляет ∼1000°С, что значи- тельно превышает температурный диапазон сохране- ния квантовых структур (∼180°С) в разрабатываемом фотопреобразователе (см. Рис.3). 3. ОСАЖДЕНИЕ АЛМАЗОПОДОБНЫХ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ На первом этапе исследований проводились экс- перименты по отработке процессов получения про- светляющих гидрогенизированных алмазоподобных (а-С:Н)-покрытий в ВЧ-разряде в газовой смеси уг- леводородных соединений с добавлением Ar. Затем были получены (а-С:Н,N)-покрытия, легированные атомами азота, позволяющие получить более высо- кую прозрачность. При нанесении таких покрытий на полупроводниковые преобразователи солнечного излучения в электрическую энергию должны быть выполнены некоторые требования: обеспечение равнотолщинности и однородности свойств этих покрытий по всей площади кремневой пластины солнечного преобразователя энергий. Для получе- ния высоких механических характеристик покрытия необходим хороший теплоотвод от подложки, на которую наносится алмазоподобное покрытие. Ин- тенсивность теплоотвода должна быть такой, чтобы при выбранной скорости осаждения гидрогенизиро- ванных алмазоподобных покрытий температура по- верхности подложки не превышала Тп = 50°С. Для этого, помимо хорошего охлаждения подложкодер- жателя, необходимо обеспечить достаточный тепло- вой контакт обрабатываемого изделия с подложкой. Ра зн ос ть у де ль ны х со пр от ив ле ни й Схема установки для нанесения (а-С:Н,N)-покры- тий из плазмы ВЧ-разряда представлена на Рис.4. Температура отжига, °С Температура отжига, °С Рис.4. Схема установки для осаждения просветляю- щих покрытий на кремнии из плазмы ВЧ-разряда Установка содержит вакуумную камеру 1 с сис- темой откачки (на Рис.4 не показана). Внутри камеры установлен водоохлаждаемый подложкодержатель 2, который может поворачиваться вокруг оси водопод- водящего вала 3, электроизолированного от вакуум- ной камеры, с помощью электропривода 4. К валу 3 подсоединен ВЧ-генератор 5 через ВЧ-кабель 6. Оп- летка кабеля 6 подсоединена к заземлённому корпу- су экрана 7. Напряжение, подаваемое к ВЧ-вводу подложкодержателя, измерялось с помощью элек- тростатического вольтметра 8. Напротив подложко- держателя 2 установлена магнитная катушка 9, внутрь которой подается рабочий газ из баллона 10 через регулируемый натекатель 11. Рабочий газ на- правляется в сторону подложкодержателя через диафрагму 12. Аргон подаётся в вакуумную камеру системой напуска, содержащей баллон с Аr 13, ре- дуктор 14 и регулируемый натекатель газа 15. Для наблюдения за областью свечения ВЧ-разряда име- ется окно наблюдения 16. Для обеспечения высокой степени равнотолщин- ности покрытий и достаточно высокой скорости осаждения (последнее очень важно с точки зрения уменьшения пористости покрытия как для повыше- ния его оптических, так и защитных характеристик) необходимо увеличить интенсивность ВЧ-разряда вблизи поверхности обрабатываемого изделия при сохранении однородности разряда как по интенсив- ности, так и по равномерности распределения соста- ва газовой смеси внутри самого разряда. Для этого вблизи подложкодержателя смонтиро- вана магнитная катушка, создающая в разрядном промежутке достаточно однородное магнитное поле, а для увеличения однородности электрического поля вблизи поверхности обрабатываемого изделия созда- ны условия, исключающие влияние краевого эффек- та на самообрабатываемое изделие. Газораспредели- тельное устройство обеспечивает однородность рас- пределения газовой смеси вблизи подложки. Получение а-С:(Н,N)-покрытий для повышения прозрачности осуществлялось путём разложения в ёмкостном ВЧ-разряде смеси N2 +СН4 +Н2. В резуль- тате введения азота коэффициент поглощения света К(λ) уменьшается в несколько раз и соответственно увеличивается пропускание а-С:(Н,N)-покрытий в видимом диапазоне спектра. Амплитуда ВЧ- напряжения на подложке при осаждении а-С:(Н,N)- покрытий из смеси CH4 + N2 + Н2 в ВЧ-разряде варьировалась в диапазоне 0,2…0,5 кВ. Давление рабочего газа (смесь CH4 + N2 + Н2) было фиксиро- ванным Р=6·10-3 Торр. 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК a-С:(Н,N)-ПОКРЫТИЙ На первом этапе были измерены показатели преломления n а-С:(Н,N)-покрытия в зависимости от амплитуды ВЧ-напряжения. Покрытия осаждали на стеклянные пластины (см. таблицу), измеряли угол Брюстера и по нему вычисляли величину n. Осаждение пленок на стекло № образца (стекло) Амплитуда ВЧ- напряжения (В) Показа- тель пре- ломления Примеча- ние 7c 200 1,8 8c 400 1,9 10c 500 - Пленка не осаждалась В дальнейшем амплитуда ВЧ-напряжения уста- навливалась 400 В и была проведена оптимизация толщины а-С:(Н,N)-покрытия на кремнии, обеспе- чивающей минимум коэффициента отражения на длине волны 550…600 нм (Рис.5). Подбор толщины проводился по длительности процесса осаждения покрытия. Из графика Рис.5 следует, что с увеличением толщины покрытия минимум зависимости коэффи- циента отражения от длины волны смещается в красную область спектра в соответствии с теорети- ческими расчетами. 0 20 40 60 400 500 600 700 800 Длина волны, нм Ко эф ф . о тр аж ен ия , % 21 23 24 25 Si Рис.5. Спектральная зависимость коэффициента отражения кремния без покрытия, а также с а-С:(Н,N)-покрытиями различной толщины. Длительность осаждения покрытий: №21 – 40 мин, №24 и №25 – 45 мин, №23 – 60 мин Образцы №24 и №25 получены в разных загруз- ках, но в идентичных условиях, (график на Рис.5 характеризует воспроизводимость спектральной зависимости коэффициента отражения от процесса к процессу). Спектральные зависимости коэффициентов от- ражения образцов n- и p-проводимости (с зеркаль- ной и матовой поверхностью) и с квантовыми структурами для солнечных кремниевых элементов с а-С:(Н,N)-покрытиями проводились на спектрофо- тометре СФ-26 с приставкой ПДО-5, предназначен- ной для измерений как зеркального, так и диффуз- ного коэффициента отражения. В обоих случаях измерялся коэффициент отражения относительно алюминиевого зеркала. 0 10 20 30 40 50 60 400 500 600 700 800 900 1000 1100 Длина волны, нм Ко эф ф . о тр аж ен ия , % Si без покрытия Si с покрытием Рис.6. Зависимости коэффициента отражения кремниевого образца n-структуры (зеркальная поверхность) без покрытия и с а-С:(Н,N)-покрытием от длины волны 0 10 20 30 40 50 60 400 500 600 700 800 900 1000 Длина волны, нм Ко эф ф . о тр аж ен ия , % Si без покрытия Si с покрытием Рис.7. Зависимости коэффициента отражения кремниевого образца p-структуры (шероховатая поверхность) без покрытия и с а-С:(Н,N)-покрытием от длины волны 175 На Рис.8 и 9 представлены спектральные зави- симости от температуры отжига коэффициента от- ражения кремниевых образцов n- и p-типа с кванто- выми структурами и а-С:(Н,N)-покрытием. На Рис.6 и 7 представлены спектральные зависи- мости коэффициента отражения кремниевых образ- цов с квантовыми структурами без покрытия и с а-С:(Н,N)-покрытием. Покрытие на оба образца было нанесено в одной загрузке. Параметры процесса оса- ждения были следующие: рабочая смесь − CH4 + N2 + Н2 с соотношением парциальных давле- ний , т.е. 12% водорода, дав- ление Р=6·10 3:11:11P:P:P 224 HNCH = -3 Торр, длительность процесса осажде- ния 42 мин. Спектральные зависимости коэффициен- та отражения образца из монокристаллического кремния с а-С:(Н,N)-покрытием, осажденным в этом режиме, приведены на Рис.5, образец №24. При отжиге кремниевых образцов n- и p-типа с квантовыми структурами до температуры 250°С дисперсионная зависимость коэффициента отраже- ния в пределах ошибки измерений не изменилась, что свидетельствует о термической стабильности данной системы с просветляющими покрытиями. ВЫВОДЫ 1. Из плазмы ВЧ-разряда в смесях СН4+N2 и CH4 + N2 + Н2 с 12% водорода на кремниевые пла- стины осаждены просветляющие а-С:(Н,N)- покрытия с показателем преломления 1.9, обладаю- щие достаточной механической прочностью. 2. На образцах из монокристаллического крем- ния отработан процесс получения просветляющих пленок разной толщины, для которых минимум ко- эффициента отражения системы пленка-кремний приходится на заданную длину волны в оптическом диапазоне. Рис.8. Зависимости коэффициента отражения кремниевого образца n-структуры (зеркальная поверхность) с а-С:(Н,N)-покрытием от длины волны и температуры отжига 3. Нанесены просветляющие а-С:(Н,N)-покрытия на образцы кремния n- и p-проводимости с наличи- ем квантовых структур в кристаллах. Измерены ко- эффициенты отражения света от этих кристаллов. Наблюдается термическая стабильность системы квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием. ЛИТЕРАТУРА 1. А.N. Dovbnya, V.P. Yefimov. The Structures for Controlling Charge Carriers in Silicon Photo Cells // Telecommunications and Radio Engineering. 2008, v.66, р.1-18. Рис.9. Зависимости коэффициента отражения кремниевого образца p-структуры (шероховатая поверхность) с а-С:(Н,N)-покрытием от длины волны и температуры отжига 2. Г.В. Розенберг. Оптика тонкослойных покры- тий. М.: «Гос. изд. физ.-мат. лит.», 1958, с.570. Статья поступила в редакцию 07.09.2009 г. THE SYSTEM OF QUANTUM STRUCTURES COATED WITH THE DIAMOND-LIKE CARBON FOR SILICON SOLAR CELLS V.P. Yefimov, А.С. Abyzov, A.А. Luchaninov, А.О. Omarov, V.E. Strel’nitskij The peculiarity of the process of amorphous diamond-like carbon coating deposition on the surface of Si photo- electric cell with quantum filaments, which was irradiated by the electrons and heavy multi-charge ions, have been investigated. The experimental results on the investigations of the optical characteristics of the nitrogen doped hy- drogenated diamond-like carbon а-С:(Н,N) coatings were presented. The parameters of the process of а-С:(Н,N) coating deposition on the surfaces of disordered Si semiconductors structures were optimized for the purpose of mini- mizing optical reflection coefficient from the front surface of the crystal and supplying its mechanical durability. СИСТЕМА КВАНТОВИХ СТРУКТУР З АЛМАЗОПОДІБНИМ ВУГЛЕЦЕВИМ ПОКРИТТЯМ ДЛЯ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧЕЙ В.П. Єфімов, А.С. Абизов, О.А. Лучанінов, А.О. Омаров, В.Є. Стрельницький Вивчено особливості процесу нанесення аморфного алмазоподібного вуглецевого покриття на поверхню кремнієвого фотоперетворювача із квантовими нитками, яку було опромінено електронами та важкими ба- гатозарядними іонами. Наведено експериментальні результати досліджень оптичних характеристик гідроге- нізованих алмазоподібних легованих азотом а-С:(Н,N)-покриттів. Виконано оптимізацію параметрів оса- дження а-С:(Н,N)-покриттів на розупорядковані структури кремнієвих напівпровідників з метою досягнення мінімального коефіцієнту віддзеркалення світла від фронтальної поверхні кристала та забезпечення його механічної міцності. 176
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17040
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1562-6016
language	Russian
last_indexed	2025-11-26T13:28:30Z
publishDate	2010
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format	dspace
spelling	Ефимов, В.П. Абызов, А.С. Лучанинов, А.А. Омаров, А.О. Стрельницкий, В.Е. 2011-02-18T12:45:56Z 2011-02-18T12:45:56Z 2010 Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей / В.П. Ефимов, А.С. Абызов, А.А. Лучанинов, А.О. Омаров, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 173-176. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17040 621.3.049.77 Изучены особенности процесса нанесения аморфного алмазоподобного углеродного покрытия на облученную электронами и тяжелыми многозарядными ионами поверхность кремниевого фотопреобразователя с квантовыми нитями. Приведены экспериментальные результаты исследований оптических характеристик гидрогенизированных алмазоподобных легированных азотом а-С:(Н,N)-покрытий. Выполнена оптимизация параметров осаждения а-С:(Н,N)-покрытий на разупорядоченные структуры кремниевых полупроводников для достижения минимального коэффициента отражения света от фронтальной поверхности кристалла и обеспечения его механической защиты. Вивчено особливості процесу нанесення аморфного алмазоподібного вуглецевого покриття на поверхню кремнієвого фотоперетворювача із квантовими нитками, яку було опромінено електронами та важкими багатозарядними іонами. Наведено експериментальні результати досліджень оптичних характеристик гідрогенізованих алмазоподібних легованих азотом а-С:(Н,N)-покриттів. Виконано оптимізацію параметрів осадження а-С:(Н,N)-покриттів на розупорядковані структури кремнієвих напівпровідників з метою досягнення мінімального коефіцієнту віддзеркалення світла від фронтальної поверхні кристала та забезпечення його механічної міцності. The peculiarity of the process of amorphous diamond-like carbon coating deposition on the surface of Si photo-electric cell with quantum filaments, which was irradiated by the electrons and heavy multi-charge ions, have been investigated. The experimental results on the investigations of the optical characteristics of the nitrogen doped hydrogenated diamond-like carbon а-С:(Н,N) coatings were presented. The parameters of the process of а-С:(Н,N) coating deposition on the surfaces of disordered Si semiconductors structures were optimized for the purpose of minimizing optical reflection coefficient from the front surface of the crystal and supplying its mechanical durability. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Применение ускорителей Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей Система квантових структур з алмазоподібним вуглецевим покриттям для кремнієвих фотоперетворювачей The system of quantum structures coated with the diamond-like carbon for silicon solar cells Article published earlier
spellingShingle	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей Ефимов, В.П. Абызов, А.С. Лучанинов, А.А. Омаров, А.О. Стрельницкий, В.Е. Применение ускорителей
title	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
title_alt	Система квантових структур з алмазоподібним вуглецевим покриттям для кремнієвих фотоперетворювачей The system of quantum structures coated with the diamond-like carbon for silicon solar cells
title_full	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
title_fullStr	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
title_full_unstemmed	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
title_short	Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
title_sort	система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
topic	Применение ускорителей
topic_facet	Применение ускорителей
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17040
work_keys_str_mv	AT efimovvp sistemakvantovyhstruktursalmazopodobnymuglerodnympokrytiemdlâkremnievyhfotopreobrazovatelei AT abyzovas sistemakvantovyhstruktursalmazopodobnymuglerodnympokrytiemdlâkremnievyhfotopreobrazovatelei AT lučaninovaa sistemakvantovyhstruktursalmazopodobnymuglerodnympokrytiemdlâkremnievyhfotopreobrazovatelei AT omarovao sistemakvantovyhstruktursalmazopodobnymuglerodnympokrytiemdlâkremnievyhfotopreobrazovatelei AT strelʹnickiive sistemakvantovyhstruktursalmazopodobnymuglerodnympokrytiemdlâkremnievyhfotopreobrazovatelei AT efimovvp sistemakvantovihstrukturzalmazopodíbnimvuglecevimpokrittâmdlâkremníêvihfotoperetvorûvačei AT abyzovas sistemakvantovihstrukturzalmazopodíbnimvuglecevimpokrittâmdlâkremníêvihfotoperetvorûvačei AT lučaninovaa sistemakvantovihstrukturzalmazopodíbnimvuglecevimpokrittâmdlâkremníêvihfotoperetvorûvačei AT omarovao sistemakvantovihstrukturzalmazopodíbnimvuglecevimpokrittâmdlâkremníêvihfotoperetvorûvačei AT strelʹnickiive sistemakvantovihstrukturzalmazopodíbnimvuglecevimpokrittâmdlâkremníêvihfotoperetvorûvačei AT efimovvp thesystemofquantumstructurescoatedwiththediamondlikecarbonforsiliconsolarcells AT abyzovas thesystemofquantumstructurescoatedwiththediamondlikecarbonforsiliconsolarcells AT lučaninovaa thesystemofquantumstructurescoatedwiththediamondlikecarbonforsiliconsolarcells AT omarovao thesystemofquantumstructurescoatedwiththediamondlikecarbonforsiliconsolarcells AT strelʹnickiive thesystemofquantumstructurescoatedwiththediamondlikecarbonforsiliconsolarcells

Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей

Institution

Ähnliche Einträge