Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности
Представлены конструкция и принцип работы системы для измерения остаточной поверхностной β-активности образца, облученного пучком тормозного излучения или электронов. В измерительной системе используется тонкий планарный кремниевый детектор с высокой эффективностью регистрации β-частиц, что позволяе...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17042 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности / Н.И. Айзацкий, В.И. Кулибаба, Н.И. Маслов, В.А. Мац, В.Д. Овчинник, Б.И. Шраменко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 180-183. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17042 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Айзацкий, Н.И. Кулибаба, В.И. Маслов, Н.И. Мац, В.А. Овчинник, В.Д. Шраменко, Б.И. 2011-02-18T12:59:17Z 2011-02-18T12:59:17Z 2010 Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности / Н.И. Айзацкий, В.И. Кулибаба, Н.И. Маслов, В.А. Мац, В.Д. Овчинник, Б.И. Шраменко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 180-183. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17042 621.384 Представлены конструкция и принцип работы системы для измерения остаточной поверхностной β-активности образца, облученного пучком тормозного излучения или электронов. В измерительной системе используется тонкий планарный кремниевый детектор с высокой эффективностью регистрации β-частиц, что позволяет надежно идентифицировать их на фоне гамма-квантов β-распада и, тем самым, получить достоверную информацию о распределении β-активности. С использованием данной системы были проведены исследования возможности измерения профилей как интенсивных пучков электронов, так и генерированного ими в конвертере тормозного излучения. Представлено конструкцію та принцип роботи системи для виміру залишкової поверхневої β-активності зразка, опроміненого пучком гальмового випромінювання або електронів. У вимірювальній системі використовується тонкий планарный кремнієвий детектор з високою ефективністю реєстрації β-частинок, що дозволяє надійно ідентифікувати їх на тлі гамма-квантів β-розпаду і, тим самим, одержати достовірну інформацію про розподіл β-активності. З використанням даної системи були проведені дослідження можливості виміру профілів як інтенсивних пучків електронів, так і генерованого ними в конвертері гальмового випромінювання. The system allows to measure distribution of surficial β-activity target, which radiation-exposed in the stream of gamma-radiation or electrons. The profile of residual β-activity of the thin radiation-exposed target corresponds the profile of primary beam of gamma-radiation or electrons with energies higher than threshold of nuclear reactions. Activity of the explored area of target is registered a semiconductor silicon detector. Distribution of activity target along the line of scanout is formed by the multiport ADC. The system allows to define the profile of gamma-radiation or electrons beams on the output of accelerator. Работа выполнена при поддержке гранта УНТЦ, # Р228. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Применение ускорителей Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности Система для вимірювання профілю пучка гама-квантів та електронів по розподіленню поверхневої β-активності Measuring system of electrons and gamma-radiation beam profiles by measurment of surface β-activity distribution Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| spellingShingle |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности Айзацкий, Н.И. Кулибаба, В.И. Маслов, Н.И. Мац, В.А. Овчинник, В.Д. Шраменко, Б.И. Применение ускорителей |
| title_short |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| title_full |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| title_fullStr |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| title_full_unstemmed |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| title_sort |
система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности |
| author |
Айзацкий, Н.И. Кулибаба, В.И. Маслов, Н.И. Мац, В.А. Овчинник, В.Д. Шраменко, Б.И. |
| author_facet |
Айзацкий, Н.И. Кулибаба, В.И. Маслов, Н.И. Мац, В.А. Овчинник, В.Д. Шраменко, Б.И. |
| topic |
Применение ускорителей |
| topic_facet |
Применение ускорителей |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Система для вимірювання профілю пучка гама-квантів та електронів по розподіленню поверхневої β-активності Measuring system of electrons and gamma-radiation beam profiles by measurment of surface β-activity distribution |
| description |
Представлены конструкция и принцип работы системы для измерения остаточной поверхностной β-активности образца, облученного пучком тормозного излучения или электронов. В измерительной системе используется тонкий планарный кремниевый детектор с высокой эффективностью регистрации β-частиц, что позволяет надежно идентифицировать их на фоне гамма-квантов β-распада и, тем самым, получить достоверную информацию о распределении β-активности. С использованием данной системы были проведены исследования возможности измерения профилей как интенсивных пучков электронов, так и генерированного ими в конвертере тормозного излучения.
Представлено конструкцію та принцип роботи системи для виміру залишкової поверхневої β-активності зразка, опроміненого пучком гальмового випромінювання або електронів. У вимірювальній системі використовується тонкий планарный кремнієвий детектор з високою ефективністю реєстрації β-частинок, що дозволяє надійно ідентифікувати їх на тлі гамма-квантів β-розпаду і, тим самим, одержати достовірну інформацію про розподіл β-активності. З використанням даної системи були проведені дослідження можливості виміру профілів як інтенсивних пучків електронів, так і генерованого ними в конвертері гальмового випромінювання.
The system allows to measure distribution of surficial β-activity target, which radiation-exposed in the stream of gamma-radiation or electrons. The profile of residual β-activity of the thin radiation-exposed target corresponds the profile of primary beam of gamma-radiation or electrons with energies higher than threshold of nuclear reactions. Activity of the explored area of target is registered a semiconductor silicon detector. Distribution of activity target along the line of scanout is formed by the multiport ADC. The system allows to define the profile of gamma-radiation or electrons beams on the output of accelerator.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17042 |
| citation_txt |
Система для измерения профиля пучка гамма-квантов и электронов по распределению поверхностной β-активности / Н.И. Айзацкий, В.И. Кулибаба, Н.И. Маслов, В.А. Мац, В.Д. Овчинник, Б.И. Шраменко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 180-183. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT aizackiini sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT kulibabavi sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT maslovni sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT macva sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT ovčinnikvd sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT šramenkobi sistemadlâizmereniâprofilâpučkagammakvantoviélektronovporaspredeleniûpoverhnostnoiβaktivnosti AT aizackiini sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT kulibabavi sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT maslovni sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT macva sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT ovčinnikvd sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT šramenkobi sistemadlâvimírûvannâprofílûpučkagamakvantívtaelektronívporozpodílennûpoverhnevoíβaktivností AT aizackiini measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution AT kulibabavi measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution AT maslovni measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution AT macva measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution AT ovčinnikvd measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution AT šramenkobi measuringsystemofelectronsandgammaradiationbeamprofilesbymeasurmentofsurfaceβactivitydistribution |
| first_indexed |
2025-11-26T21:40:14Z |
| last_indexed |
2025-11-26T21:40:14Z |
| _version_ |
1850777713888985088 |
| fulltext |
УДК 621.384
СИСТЕМА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОФИЛЯ ПУЧКА ГАММА-КВАНТОВ
И ЭЛЕКТРОНОВ ПО РАСПРЕДЕЛЕНИЮ ПОВЕРХНОСТНОЙ
β-АКТИВНОСТИ
Н.И. Айзацкий, В.И. Кулибаба, Н.И. Маслов, В.А. Мац, В.Д. Овчинник, Б.И. Шраменко
Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт»,
Харьков, Украина
E-mail: bshram@kipt.kharkov.ua
Представлены конструкция и принцип работы системы для измерения остаточной поверхностной β-
активности образца, облученного пучком тормозного излучения или электронов. В измерительной системе
используется тонкий планарный кремниевый детектор с высокой эффективностью регистрации β-частиц,
что позволяет надежно идентифицировать их на фоне гамма-квантов β-распада и, тем самым, получить дос-
товерную информацию о распределении β-активности. С использованием данной системы были проведены
исследования возможности измерения профилей как интенсивных пучков электронов, так и генерированного
ими в конвертере тормозного излучения.
1. ВВЕДЕНИЕ
При проведении исследований на пучках элек-
тронов и тормозного гамма-излучения наряду с та-
кими параметрами как энергия и интенсивность из-
лучения требуется также знание пространственных
характеристик излучения, в частности, плотности
распределения пучка в поперечном сечении.
Такое требование с особенной остротой возника-
ет при фотоядерном способе производства радио-
нуклидов, когда от плотности распределения ини-
циирующего пучка гамма-излучения зависит эффек-
тивность наработки радионуклидов в заданном объ-
еме изотопной мишени.
Методика определения профиля пучка гамма-
квантов по профилю наведенной поверхностной
гамма-активности тонких образцов, экспонирован-
ных на пучке гамма-излучения, реализована и ис-
пользовалась в эксперименте [1,2].
Так как бета-распад радиоактивных ядер сопро-
вождается выходом гамма-квантов, то измерение
профиля поверхностной остаточной активности об-
разцов, подвергшихся облучению пучками гамма-
излучения и электронов, возможно как путем реги-
страции β-частиц, так и гамма-квантов.
Нами были проведены исследования возможности
измерения профилей как интенсивных пучков элек-
тронов, так и генерированного ими в конвертере тор-
мозного излучения путем регистрации β-частиц.
Так как остаточная γ,β-активность образца обу-
словлена изотопами, образующимися, в основном, в
результате фотоядерных (γ,n), (γ,р) и электроядер-
ных (е,n)-, (е,р)-реакций, то профиль остаточной γ,β-
активности тонкого облученного образца отражает
профиль первичного пучка гамма-квантов или элек-
тронов с энергиями выше порога вышеуказанных
ядерных реакций.
Это обстоятельство позволяет получить инфор-
мацию о профилях исходных пучков в различных
энергетических диапазонах путем использования
образцов с различными значениями порогов ядер-
ных реакций. Например, для образца из тантала
энергетический порог (γ,n)-реакции равен 7,85 МэВ,
а для образца из углерода − 18,75 МэВ.
Одним из наиболее значимых преимуществ этой
методики [1,2] перед другими состоит в том, что она
позволяет ”отсечь“ вклад низкоэнергетической час-
ти спектров частиц первичных пучков, которые при-
сутствуют (особенно для тормозного излучения) в
первичных пучках и препятствуют определению их
истинного профиля.
Ниже приведены результаты измерений профи-
лей пучков гамма-излучения и электронов путем
регистрации β-частиц, излучаемых тонкими метал-
лическими образцами, облученными на ускорителе
ЛУ-40М как непосредственно электронным пучком,
так и тормозным излучением этого пучка, генери-
руемым в танталовом конвертере.
2. КОНСТРУКЦИЯ СИСТЕМЫ
И МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ
В отличие от других систем аналогичного назна-
чения в разработанной системе используется прин-
цип регистрации β-частиц (а не гамма-квантов) с
помощью кремниевого детектора толщиной
300 мкм, что дает возможность надёжно отделить
сигналы, создаваемые β-частицами, от сигналов,
создаваемых в детекторе гамма-квантами, которые
сопровождают бета-распад радиоактивного ядра.
С другой стороны, так как проникающая способ-
ность гамма-квантов больше, чем у β-частиц, то
принцип регистрации β-частиц, в отличие от гамма-
квантов, позволяет более корректно коллимировать
их и, следовательно, обеспечить хорошее простран-
ственное разрешение системы.
Принципиальная блок-схема системы показана
на Рис.1.
Телесный угол а, следовательно, и пространст-
венное разрешение измерительной системы задают-
ся свинцовым коллиматором диаметром 1,5 мм, ко-
торый установлен непосредственно перед детекто-
ром, а сканирование активной области осуществля-
ется путём перемещения предметного столика с об-
разцом (по Х-координате).
____________________________________________________________
PROBLEMS OF ATOMIC SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2010. № 3. 180
Series: Nuclear Physics Investigations (54), p.180-183.
mailto:bshram@kipt.kharkov.ua
Рис.1. Блок-схема системы:
1 − детекторная головка; 2 − столик перемещения
образца; 3 − интенсиметр с дискриминацией
нижнего уровня; 4 − потенциометр;
5 − многовходовой АЦП;
6 − компьютер с монитором и дисковой памятью
Сигнал индикации перемещения образца в виде
напряжения с потенциометра (связанного с пред-
метным столиком) подаётся на вход «Х» многовхо-
дового АЦП типа PCL-1711-L. Активность иссле-
дуемой области образца регистрируется полупро-
водниковым кремниевым детектором размерами
2×2×0,3 мм.
Сигнал с детектора после предварительного уси-
ления, дополнительного усиления и формирования в
виде сигнала с интенсиметра поступает на вход «Υ»
того же АЦП. Таким образом, при перемещении
образца формируется распределение Y=f(X) актив-
ности образца вдоль линии сканирования. Конст-
рукция системы предусматривает также перемеще-
ние образца в направлении, перпендикулярном на-
правлению сканирования, с помощью микрометри-
ческого винта. Измерение таких распределений по-
зволяет определить полный профиль пучка гамма-
излучения или электронов на выходе ускорителя на
площади (40×68) мм2. Согласно статистическому
анализу работы электронных схем в режиме интен-
симетра [3] при временах измерений Т, значительно
превышающих постоянную времени (RC) накопи-
тельной емкости (что практически всегда выполня-
ется), относительная стандартная ошибка )(Qσ из-
мерения среднего значения Q накопительной емко-
сти в конечном счете сводится к выражению:
( ) aTQQ 1=σ , (1)
где а − скорость счета; аТ − полное число счетов за
время Т.
Таким образом, ошибка измерений поверхност-
ной β-активности образца определяется статистиче-
ской ошибкой.
Общий вид системы показан на Рис.2.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ
Пространственная разрешающая способность
разработанной системы может изменяться в широ-
ких пределах путем выбора диаметра коллиматора.
Уменьшением диаметра коллиматора пространст-
венную разрешающую способность системы можно
сделать сколь угодно малой (вплоть до нескольких
десятых миллиметра), однако при этом уменьшается
светосила системы и, соответственно, увеличивает-
ся время, необходимое для получения измеряемого
распределения с хорошей статистикой. Уменьшение
диаметра коллиматора, кроме того, влечет за собой
неоправданное увеличение активности измеряемого
образца, что также нежелательно. Поэтому в качест-
ве компромисного варианта был выбран диаметр
коллиматора 1,5 мм.
1
3 5
4
2
6
Рис.2. Общий вид системы измерения профиля
поверхностной β-активности образца.
(На переднем плане виден столик для перемещения
образца и детекторная головка)
При сканировании профиля пучка по оси «Х» про-
странственная разрешающая способность системы Δx
была измерена экспериментально. Она определялась
путем измерения зависимости интенсивности β-
источника малых размеров (диаметром 0,3 мм) при
сканировании им «поля зрения» коллиматора (диа-
метром 1,5 мм). Такой малопротяженный β-источник
186Re был получен путем облучения мишени из при-
родного Re на исследуемом пучке тормозного излу-
чения (согласно реакции187Re(γ,n)186Re). Результаты
измерений разрешающей способности системы пред-
ставлены на Рис.3.
Рис.3. Зависимость интенсивности β-источника
186Re диаметром Φ=0,3 мм от его положения
при сканировании «поля зрения» коллиматора
диаметром 1,5 мм (шкала в сантиметрах)
Как видно из Рис.3, ширина распределения
(FWHM), определяющая пространственную разре-
шающую способность системы Δx, составляет
2,5 мм. Полученная величина разрешающей способ-
ности вполне приемлема для практического исполь-
зования, так как позволяет при умеренной активно-
сти образца в течение нескольких минут измерить
профиль пучка с хорошей статистикой. С другой
стороны, следует отметить, что указанная величина
Δx будет существенно сказываться при измерении
наведенной активности в пятне малого размера,
181
сравнимого с Δx. При более широких распределени-
ях активности, с которыми приходится иметь дело
на практике, ее влияние будет незначительным.
В настоящей разработке предусмотрена также
возможность измерения вклада гамма-квантов бета-
распада в измеряемое распределение поверхностной
активности. Для этого при измерениях перед кол-
лиматором устанавливался поглотитель из меди,
который полностью поглощал бэта-частицы и “про-
пускал” гамма-кванты.
На Рис.4 показаны профили поверхностной бэта-
активности тонкого образца из молибдена, измерен-
ные с поглотителем и без поглотителя бэта-частиц.
Образец из молибдена толщиной 90 мкм облучался
пучком гамма-излучения с максимальной энергией
40 МэВ. Профили измерены в режиме дискретного
перемещения предметного столика с набором ак-
тивности для выбранного положения образца (изме-
рение “по точкам”).
Из рисунка видно, что при измерениях “по точ-
кам” может быть набрано заданное число отсчетов
(статистика) путем выбора длительности измерений
в каждом положении образца.
Рис.4. Профили поверхностной β-активности
образца Мо, облученного пучком гамма-излучения:
■ − через 24 часа после облучения; ● − через
48 часов после облучения; − фон гамма-квантов;
− “чистое” распределение β-активности с выче-
том фона гамма-квантов
Путем вычитания фона гамма-квантов получает-
ся “чистый” профиль поверхностной β-активности.
Строго говоря, вычитание вклада гамма-квантов β-
распада не обязательно, так как последние также
несут информацию о поверхностной активности
образца, однако, в случае прецизионных измерений
ширин распределений поверхностной β-активности
такой учет вклада гамма-квантов может быть кор-
ректно сделан.
Совпадение ширин распределений, измеренных
в разные моменты времени после облучения образ-
ца доказывает независимость результата измерения
от времени “остывания”.
Таким образом, представленные на Рис.4 зави-
симости величины активности β-частиц от положе-
ния детектора при его перемещении вдоль линии
сканирования, фактически отражают профиль пуч-
ка гамма-излучения, которым был облучен образец.
Ниже представлены результаты измерений про-
филей пучка тормозного излучения непосредствен-
но за конвертером из тантала толщиной 3,5 мм и
профилей пучка электронов ускорителя ЛУ-40М.
Для измерения использовались тонкие (~0,1 мм)
образцы из различных материалов (молибдена, ме-
ди, тантала), которые были облучены пучком гам-
ма-излучения одновременно. Измерения выполнены
в режиме непрерывного перемещения облученного
образца под детектором.
Изложенная методика определения профиля
(плотности распределения) пучка гамма-излучения в
полной мере относится также к пучкам электронов,
тем более, что практически все частицы пучка обла-
дают одинаковой энергией ( /E EΔ ≅ 2…3%).
На Рис.5-7 представлены результаты измерения
профилей пучков электронов. Облучаемый образец
устанавливался перед конвертером.
Рис.5. Профиль пучка тормозного излучения с мак-
симальной энергией 40 МэВ, измеренный на тонком
образце Cu (шкала в сантиметрах)
Рис.6. Профиль пучка тормозного излучения с мак-
симальной энергией 40 МэВ, измеренный на тонком
образце Мо (шкала в сантиметрах)
Рис.7. Профиль пучка тормозного излучения с мак-
симальной энергией 40 МэВ, измеренный на тонком
образце Та (шкала в сантиметрах)
182
ВЫВОДЫ
1. На основе регистрации β-частиц остаточной
активности разработана система (методика) измере-
ния профиля пучков электронов или гамма-
излучения по распределению поверхностной β-
активности образца, облученного этими пучками.
2. Разработанная система позволяет измерять
профили пучков гамма-излучения в наиболее инте-
ресной области энергий – ядерноактивной (выше
порога фотоядерных реакций – ≥8 МэВ), с приемле-
мой для практических потребностей пространствен-
ной разрешающей способностью.
3. Измерения профиля пучка гамма-излучения, вы-
полненные с использованием образцов из различных
материалов, дают практически одинаковые результаты.
Рис.8. Профиль пучка электронов с энергией в мак-
симуме спектра 40 МэВ, измеренный на тонком
образце Cu. Распределение с низкой
интенсивностью – вклад гамма-квантов 4. Так как процесс измерения профиля пучка за-
нимает несколько минут, разработанная методика в
сочетании с быстрой доставкой облученного образ-
ца к измерительной системе (пневмопочтой) откры-
вает дополнительные возможности в настройке ре-
жима работы ускорителя для получения требуемых
пространственных характеристики пучков электро-
нов или гамма-излучения применительно к произ-
водству изотопов фотоядерным способом.
Работа выполнена при поддержке гранта УНТЦ,
# Р228.
ЛИТЕРАТУРА
1. Б.И. Шраменко. Электромагнитное излучение, гене-
рируемое пучками электронов и позитронов высоких
энергий в монокристаллах и аморфном веществе:
Автореф. дис. канд.физ.-мат.наук. Харьков, 2003.
Рис.9. Измеренные распределения профиля пучка
электронов (см. Рис.6) соответствуют сканирова-
нию поперечных размеров пучка на различных рас-
стояниях от его центра (в порядке расположения
распределений слева направо): +2 мм; 0; -1 мм; -2 мм
2. В.И. Никифоров, Р.И. Помацалюк, В.А. Шевченко
и др. Система измерения профиля потока высо-
коэнергетического тормозного излучения //
ВАНТ. Серия “Ядерно-физические исследования”
(49). 2008, №3, с.196-200.
На Рис.8. и 9 хорошо видна асимметрия распре-
делений, описывающих профиль пучка, что указы-
вает на несимметричность формы самого пучка
электронов. Полученная информация может быть
использована для настройки режима оптимальной
фокусировки пучка ускорителя.
3. Измерение характеристик ядерных реакций и
пучков частиц. М.: “Мир”, 1965.
Статья поступила в редакцию 20.09.2009 г.
MEASURING SYSTEM OF ELECTRONS AND GAMMA-RADIATION BEAM PROFILES
BY MEASURMENT OF SURFACE β-ACTIVITY DISTRIBUTION
M.I. Ayzatskiy, V.I. Kulibaba, N.I. Maslov, V.A. Mats, V.D. Ovchinnik, B.I. Shramenko
The system allows to measure distribution of surficial β-activity target, which radiation-exposed in the stream of
gamma-radiation or electrons. The profile of residual β-activity of the thin radiation-exposed target corresponds the
profile of primary beam of gamma-radiation or electrons with energies higher than threshold of nuclear reactions.
Activity of the explored area of target is registered a semiconductor silicon detector. Distribution of activity target
along the line of scan-out is formed by the multiport ADC. The system allows to define the profile of gamma-radiation
or electrons beams on the output of accelerator.
СИСТЕМА ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ ПРОФІЛЮ ПУЧКА ГАМА-КВАНТІВ ТА ЕЛЕКТРОНІВ
ПО РОЗПОДІЛЕННЮ ПОВЕРХНЕВОЇ β-АКТИВНОСТІ
М.І. Айзацький, В.І. Кулибаба, М.І. Маслов, В.О. Мац, В.Д. Овчинник, Б.І. Шраменко
Представлено конструкцію та принцип роботи системи для виміру залишкової поверхневої β-активності
зразка, опроміненого пучком гальмового випромінювання або електронів. У вимірювальній системі викори-
стовується тонкий планарный кремнієвий детектор з високою ефективністю реєстрації β-частинок, що до-
зволяє надійно ідентифікувати їх на тлі гамма-квантів β-розпаду і, тим самим, одержати достовірну інфор-
мацію про розподіл β-активності. З використанням даної системи були проведені дослідження можливості
виміру профілів як інтенсивних пучків електронів, так і генерованого ними в конвертері гальмового випро-
мінювання.
183
|