Применение поликристаллических диффузионных барьеров
Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17043 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ). |
|---|