Применение поликристаллических диффузионных барьеров
Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17043 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547617376894976 |
|---|---|
| author | Цымбал, В.А. Колупаев, И.Н. |
| author_facet | Цымбал, В.А. Колупаев, И.Н. |
| citation_txt | Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ).
Деградація контактів електронної апаратури при підвищених температурах пов'язана з активним дифузійним перерозподілом компонентів контактно-металізаційної системи (КМС) і фазоутворення на міжфазних межах. Однією з систем дифузійних бар'єрів (ДБ) є полікристалічні силіцидні плівки, як то силіциди титану. Отримання дісиліцидів титану (TiSi), який за своїми параметрами затребуваний для умов мікроелектроніки з відомих силіцидів системи Ti-Si, можливо як в результаті прямої реакції плівки титану і підкладки кремнію, так і при осадженні шару Ti-Si потрібного стехіометричного складу. Зроблено аналіз дифузійної проникності полікристалічного та поліфазного ДБ та надані рекомендації для практичних методів підвищення блокуючих властивостей полікристалічних дифузійних бар’єрів.
Degradation of contacts of the electronic equipment at the raised temperatures is connected with active diffusion redistribution of components contact − metalized systems (CMS) and phase production on interphase borders. One of systems diffusion barriers (DB) are polycrystalline silicide a film, in particular silicides of the titan. Reception desilicide the titan (TiSi2) which on the parameters is demanded for conditions of microelectronics from known silicides of system Ti-Si, is possible as a result of direct reaction of a film of the titan and a substrate of silicon, and at sedimentation of layer Ti-Si demanded stoichiometric structure. Simultaneously there is specific problem polycrystalline diffusion a barrier (PDB): the polycrystalline provides structural balance and metastability film desilicide, but leaves in it borders of grains − easy local ways of diffusion. In clause the analysis diffusion permeability polycrystalline and polyphase DB is made and recommendations for practical methods of increase of blocking properties PDB are made.
|
| first_indexed | 2025-11-25T16:17:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17043 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T16:17:11Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Цымбал, В.А. Колупаев, И.Н. 2011-02-18T13:01:47Z 2011-02-18T13:01:47Z 2010 Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17043 539.12.04 Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ). Деградація контактів електронної апаратури при підвищених температурах пов'язана з активним дифузійним перерозподілом компонентів контактно-металізаційної системи (КМС) і фазоутворення на міжфазних межах. Однією з систем дифузійних бар'єрів (ДБ) є полікристалічні силіцидні плівки, як то силіциди титану. Отримання дісиліцидів титану (TiSi), який за своїми параметрами затребуваний для умов мікроелектроніки з відомих силіцидів системи Ti-Si, можливо як в результаті прямої реакції плівки титану і підкладки кремнію, так і при осадженні шару Ti-Si потрібного стехіометричного складу. Зроблено аналіз дифузійної проникності полікристалічного та поліфазного ДБ та надані рекомендації для практичних методів підвищення блокуючих властивостей полікристалічних дифузійних бар’єрів. Degradation of contacts of the electronic equipment at the raised temperatures is connected with active diffusion redistribution of components contact − metalized systems (CMS) and phase production on interphase borders. One of systems diffusion barriers (DB) are polycrystalline silicide a film, in particular silicides of the titan. Reception desilicide the titan (TiSi2) which on the parameters is demanded for conditions of microelectronics from known silicides of system Ti-Si, is possible as a result of direct reaction of a film of the titan and a substrate of silicon, and at sedimentation of layer Ti-Si demanded stoichiometric structure. Simultaneously there is specific problem polycrystalline diffusion a barrier (PDB): the polycrystalline provides structural balance and metastability film desilicide, but leaves in it borders of grains − easy local ways of diffusion. In clause the analysis diffusion permeability polycrystalline and polyphase DB is made and recommendations for practical methods of increase of blocking properties PDB are made. Авторы выражают благодарность члену-корреспонденту НАН Украины профессору В.В. Слезову за активное участие в обсуждении работы. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Применение ускорителей Применение поликристаллических диффузионных барьеров Застосування полікристалічних дифузійних бар'єрів Application polycrystalline diffusion barriers Article published earlier |
| spellingShingle | Применение поликристаллических диффузионных барьеров Цымбал, В.А. Колупаев, И.Н. Применение ускорителей |
| title | Применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| title_alt | Застосування полікристалічних дифузійних бар'єрів Application polycrystalline diffusion barriers |
| title_full | Применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| title_fullStr | Применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| title_full_unstemmed | Применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| title_short | Применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| title_sort | применение поликристаллических диффузионных барьеров |
| topic | Применение ускорителей |
| topic_facet | Применение ускорителей |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17043 |
| work_keys_str_mv | AT cymbalva primeneniepolikristalličeskihdiffuzionnyhbarʹerov AT kolupaevin primeneniepolikristalličeskihdiffuzionnyhbarʹerov AT cymbalva zastosuvannâpolíkristalíčnihdifuzíinihbarêrív AT kolupaevin zastosuvannâpolíkristalíčnihdifuzíinihbarêrív AT cymbalva applicationpolycrystallinediffusionbarriers AT kolupaevin applicationpolycrystallinediffusionbarriers |