2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме

• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Лотов, К.В., Маслов, В.И., Онищенко, И.Н., Весновская, М.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Schlagworte: Сильноточная релятивистская электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17289
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: 2D3V численное моделирование неустойчивости цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме / К.В. Лотов, В.И. Маслов, И.Н. Онищенко, М.С. Весновская // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 12-16. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Рассматривается новый механизм возникновения пучково-плазменной неустойчивости, обусловленный, из-за различия продольной и поперечной масс релятивистских электронов, не продольной модуляцией цилиндрического релятивистского электронного пучка в плазме, а его разбиением на сгустки за счет дефокусировк...