Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона

• Date: 2010
• Main Authors: Гончаров, А.А., Добровольский, А.Н., Евсюков, А.Н., Проценко, И.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Subjects: Нерелятивистская электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17298
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, А.Н. Евсюков, И.М. Проценко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Предложено новое плазмооптическое устройство, представляющее собой элементарную плазмооптическую цилиндрическую ячейку с газовым разрядом магнетронного типа в режиме прямого магнетрона. Устройство может работать в высоковольтном слаботочном режиме и в сильноточном с генерацией плазменного факела. Получена скорость травления (100…150 нм/мин) в слаботочном режиме и на порядок больше в сильноточном. Плотность тока в факеле составляет до 3% от плотности тока разряда и плавающий потенциал − до 0,8 анодного потенциала. Запропоновано новий плазмооптичний пристрій, що є елементарною плазмооптичною циліндричною коміркою з газовим розрядом магнетронного типу в режимі прямого магнетрону. Пристрій може працювати як у високовольтному режимі з малим струмом, так і в режимі з великим струмом з генерацією плазмового факелу. Отримано швидкість травлення 100…150 нм/хв у режимі з малим струмом і на порядок більше у режимі з великим струмом. Щільність струму у плазмовому факелі до 3% від густини струму розряду і плаваючий потенціал − до 0,8 анодного потенціалу. It is offered the new plasmaoptics device that are representing an elementary plasmaoptics cylindrical cell with the gas discharge of magnetron type in a mode of direct magnetron. Such device can work both in a high-voltage low-current mode and in high-current low-voltage with generation of a plasma torch. The measured rate of etching is about 100…150 nm/min in the low-current high-voltage discharge and on the order rises in high-current mode. Density of torch current up to 3% from density of discharge current and the floating potential up to 0,8 from the anode potential are formed.