Слёзов, В., & Остапчук, П. (2010). Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Слёзов, В.В, та П.Н Остапчук. Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Слёзов, В.В, та П.Н Остапчук. Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.