Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением

• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Слёзов, В.В., Остапчук, П.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17375
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением / В.В. Слёзов, П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 15-20. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Предложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем в силу малости концентрации точечных дефектов; вблизи границы области влияния нелинейную часть диффузионного уравнения приближенно лианеризуем из-за малости градиента концентрации. В качестве точки сшивки концентрации и потока предлагается выбрать точку перегиба квадрата концентрации. Сравнение точных и приближенных решений приведено для линейной и сферически симметричной задач. Запропоновано спосіб приблизного урахування квадратичного додатку рекомбінаційного типу у дифузійній задачі в області впливу стоку. Суть його полягає у наступному: поблизу границі стоку цим додатком, як і раніше, нехтуємо в силу малості концентрації точкових дефектів; поблизу границі області впливу нелінійну частину дифузійного рівняння приблизно ліанеризуємо в силу малості градієнта концентрації. В якості точки зшивки концентрації та потоку пропонується вибрати точку перегину квадрату концентрації. Порівняння точних та приблизних рішень наведено для лінійної та сферично симетричної задач. А method of taking into account the quadratic term responsible for the bulk recombination of point defects in the diffusion problem in the sink region of influence is proposed. It is based on linearization of the diffusion equation near the vicinity of the boundary of the sink region of influence, where the concentration gradient is sufficiently small. The approximate analytical solution agrees very well with the exact numerical one for the spherically symmetrical case and with exact analytical one for the linear case.