Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
Предложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем в силу малости концентрации точечных дефектов; вблизи границы области влиян...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Слёзов, В.В., Остапчук, П.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17375 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением / В.В. Слёзов, П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 15-20. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
von: Слёзов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокационной петлей в методе функций Грина
von: Остапчук, П.Н., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
von: Михайловский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
von: Тупицына, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Формирование стационарных пластинчатых выделений в бинарном сплаве под облучением
von: Щербань, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)