Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
Предложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем в силу малости концентрации точечных дефектов; вблизи границы области влиян...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | Слёзов, В.В., Остапчук, П.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17375 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением / В.В. Слёзов, П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 15-20. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
by: Слёзов, В.В., et al.
Published: (2010) -
Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокационной петлей в методе функций Грина
by: Остапчук, П.Н., et al.
Published: (2015) -
Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
by: Михайловский, В.В., et al.
Published: (2007) -
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
by: Тупицына, И.А., et al.
Published: (2009) -
Формирование стационарных пластинчатых выделений в бинарном сплаве под облучением
by: Щербань, Л.В., et al.
Published: (2012)