Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации отжига радиационных дефектов при взаимодействии с водородно-вакансионными деф...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17377 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 27-35. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17377 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Варенцов, М.Д. Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. 2011-02-26T10:29:28Z 2011-02-26T10:29:28Z 2010 Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 27-35. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17377 539.125.5.04:621.315.59 Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации отжига радиационных дефектов при взаимодействии с водородно-вакансионными дефектами уменьшается с 1,1 до 0,8 эВ при увеличении концентрации платины в кремнии, так как деформационные поля, создаваемые атомами платины, уменьшают энергию переориентации дефектов. Уточнено энергетическое положение в запрещенной зоне кремния донорного уровня А-центра (ЕV + 0,415 эВ) на основании известных данных о положении А-центра, модифицированного атомом углерода (ЕV + 0,38 эВ) или водорода (ЕV + 0,28 эВ). Описано відпал А-центрів, дивакансій, А-центрів, модифікованих воднем, у n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), за відсутності та при наявності домішки платини, після опромінення протонами з енергією 1,8 МеВ. Показано, що енергія активації відпалу радіаційних дефектів при взаємодії з воднево-вакансійними дефектами зменшується від 1,1 до 0,8 еВ зі збільшенням концентрації платини в кремнії, оскільки деформаційні поля, які створюються атомами платини, зменшують енергію переорієнтації дефектів. Уточнено енергетичне положення у забороненій зоні кремнію донорного рівня А-центра (ЕV + 0,415 еВ), виходячи із відомих даних щодо положення А-центра, модифікованого атомом вуглецю (ЕV + 0,38 еВ) або водню (ЕV + 0,28 еВ). The annealing of A-centers, divacancies, A-centers modified by hydrogen was described for n-Si (P ≈ 10^14 cm^-3), with and without platinum dopants, after the irradiation by protons with energy 1.8 MeV. It was shown that the activation energy of annealing for radiation defects under their interaction with hydrogen-vacancy defects is decreased from 1.1 to 0.8 eV with the increasing of platinum concentration in silicon, because the deformation fields, creating by platinum atoms, decrease the energy of the defect re-orientation. In the forbidden zone of silicon the energy state for the donor level of A-center (ЕV + 0.415 eV) was specified based on the data about the position of A-center modified by the carbon atom (ЕV + 0.38 eV) or the hydrogen atom (ЕV + 0.28 eV). ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии Вплив опромінення та відпалу на термічну стабільність радіаційних дефектів у кремнії Influence of irradiation and annealing on the thermal stability of radiation defects in silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| spellingShingle |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии Варенцов, М.Д. Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| title_full |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| title_fullStr |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| title_full_unstemmed |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| title_sort |
влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии |
| author |
Варенцов, М.Д. Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_facet |
Варенцов, М.Д. Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив опромінення та відпалу на термічну стабільність радіаційних дефектів у кремнії Influence of irradiation and annealing on the thermal stability of radiation defects in silicon |
| description |
Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации отжига радиационных дефектов при взаимодействии с водородно-вакансионными дефектами уменьшается с 1,1 до 0,8 эВ при увеличении концентрации платины в кремнии, так как деформационные поля, создаваемые атомами платины, уменьшают энергию переориентации дефектов. Уточнено энергетическое положение в запрещенной зоне кремния донорного уровня А-центра (ЕV + 0,415 эВ) на основании известных данных о положении А-центра, модифицированного атомом углерода (ЕV + 0,38 эВ) или водорода (ЕV + 0,28 эВ).
Описано відпал А-центрів, дивакансій, А-центрів, модифікованих воднем, у n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), за відсутності та при наявності домішки платини, після опромінення протонами з енергією 1,8 МеВ. Показано, що енергія активації відпалу радіаційних дефектів при взаємодії з воднево-вакансійними дефектами зменшується від 1,1 до 0,8 еВ зі збільшенням концентрації платини в кремнії, оскільки деформаційні поля, які створюються атомами платини, зменшують енергію переорієнтації дефектів. Уточнено енергетичне положення у забороненій зоні кремнію донорного рівня А-центра (ЕV + 0,415 еВ), виходячи із відомих даних щодо положення А-центра, модифікованого атомом вуглецю (ЕV + 0,38 еВ) або водню (ЕV + 0,28 еВ).
The annealing of A-centers, divacancies, A-centers modified by hydrogen was described for n-Si (P ≈ 10^14 cm^-3), with and without platinum dopants, after the irradiation by protons with energy 1.8 MeV. It was shown that the activation energy of annealing for radiation defects under their interaction with hydrogen-vacancy defects is decreased from 1.1 to 0.8 eV with the increasing of platinum concentration in silicon, because the deformation fields, creating by platinum atoms, decrease the energy of the defect re-orientation. In the forbidden zone of silicon the energy state for the donor level of A-center (ЕV + 0.415 eV) was specified based on the data about the position of A-center modified by the carbon atom (ЕV + 0.38 eV) or the hydrogen atom (ЕV + 0.28 eV).
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17377 |
| citation_txt |
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 27-35. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT varencovmd vliânieoblučeniâiotžiganatermičeskuûstabilʹnostʹradiacionnyhdefektovvkremnii AT gaidargp vliânieoblučeniâiotžiganatermičeskuûstabilʹnostʹradiacionnyhdefektovvkremnii AT dolgolenkoap vliânieoblučeniâiotžiganatermičeskuûstabilʹnostʹradiacionnyhdefektovvkremnii AT litovčenkopg vliânieoblučeniâiotžiganatermičeskuûstabilʹnostʹradiacionnyhdefektovvkremnii AT varencovmd vplivopromínennâtavídpalunatermíčnustabílʹnístʹradíacíinihdefektívukremníí AT gaidargp vplivopromínennâtavídpalunatermíčnustabílʹnístʹradíacíinihdefektívukremníí AT dolgolenkoap vplivopromínennâtavídpalunatermíčnustabílʹnístʹradíacíinihdefektívukremníí AT litovčenkopg vplivopromínennâtavídpalunatermíčnustabílʹnístʹradíacíinihdefektívukremníí AT varencovmd influenceofirradiationandannealingonthethermalstabilityofradiationdefectsinsilicon AT gaidargp influenceofirradiationandannealingonthethermalstabilityofradiationdefectsinsilicon AT dolgolenkoap influenceofirradiationandannealingonthethermalstabilityofradiationdefectsinsilicon AT litovčenkopg influenceofirradiationandannealingonthethermalstabilityofradiationdefectsinsilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T15:59:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:59:36Z |
| _version_ |
1850865800283422720 |