Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| ISSN: | 1025-6415 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
|
|---|---|
| ISSN: | 1025-6415 |