Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1995
• Автор: Гусаков, В.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174738
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox / В.Е. Гусаков // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 805-809. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с име­ющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменение зарядовых состояний атомов в зависимости от ионного радиуса. На підставі зіставлення теоретично розрахованого тензора градієнта електричного поля з наявними експе­риментальними даними визначено розподіл зарядових станів усіх атомів в елементарній комірці RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проаналізовано зміну зарядових станів атомів в залеж­ності від іонного радіуса. Based on the comparison between theoretical and experimental data on electric field gradient tensor, the distribution of charge states of all atoms over the unit cell of RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг) is determined. Variation on the charge states of atoms as a function of ionic radius is considered.