Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявлением э...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1995 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862588747003985920 |
|---|---|
| author | Красовицкий, Вит.Б. Макаровский, О.Н. Миронов, О.А. Волл, Т. Мэтью, Н. |
| author_facet | Красовицкий, Вит.Б. Макаровский, О.Н. Миронов, О.А. Волл, Т. Мэтью, Н. |
| citation_txt | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявлением эффектов слабой локализации (СЛ) при спин-орбитальпом взаимодействии и дырочно-дырочного взаимодействия (ДДВ) в диффузионном канале. При изучении темпера турных зависимостей магпитопроводимости и эффекта Холла разделены вклады эффектов CЛ и ДДВ и определены их характерные параметры. Из магпитополевых зависимостей, которые с высокой точностью описываются формулами для СЛ без учета ДДВ в диффузионном канале, получены абсолютные значения и температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции электронов Т⁻¹, что свидетельствует о преобладании при низких температурах ДДВ в процессах неупругой релаксации. При сравнении машитосонротивлепин в перпендикулярном и 
параллельном d-слою матичных полях найдена эффективная толщина кпазидвумериого дырочного капала, которая во всем диапазоне исследованных температур оказалась равной (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м.
Уперше експериментально досліджено гальваномагнітні властивості d-шару бора епітаксиального кремнія (концентрація носіїв заряду 7 * 10² см⁻²) в слабких магнітних полях 10⁻³ —2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, що температурна залежність провідності обумовлена спільним виявленням ефектів слабкої локалізації (СЛ) приспін-орбітальній взаємодіїта дірково-дірковій взаємодії (ДДВ) вдифузійпому каналі. При вивченні температурних залежностей мапіітопровідпості і ефекти Холла розділено вклади ефектів СЛ і ДДВ та визначено їх характерні параметри. Із магнітохвиольових залежностей, які з високою точністю описуються формулами для СЛ без урахування ДДВ в дифузійному каналі, одержано абсолютні значення та
температурну залежність часу збою фази хвильової функції електронів Т⁻¹ що свідчить про переваження при низьких температурах ДДВ в процесах пепружньої релаксації. При порівнянні машітоопору в перпендикулярному і паралельному d-шару магнітних полях знайдено ефективну товщину киазідвовимірного діркового каналу, яка в усьому діапазоні досліджених температур виявилася ріпною (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м.
The pioneering measurements of galvanomagnetic properties of a boron d-layer of epitaxial silicon (charge carrier concentration being 7 * 10² cm⁻²) in weak magnetic fields ranged from 10⁻³ -2 T at temperatures between 1.7 and 50 К we carried out. The temperature dependence of conductivity was shown to be due to the combined effect of weak localization (WL) under spin-orbit interaction and hole-hole coupling (HUC) in the 
diffusion channel. Based on the data on temperature dependences of magnetoconductivity and Hall effect, the contributions from the WL and HUC effect were 
separated and their typical parameters were determined. The magnetic field dependences that are described with a high degree of accuracy by the WL expressions not involving the HHC in the diffusion channel were used to obtain absolute values and temperature dependence of phase relaxation time of the electron wave function Т⁻¹, indicating the dominant role of hole-hole interactions in inelastic relaxation at low temperatures.
Comparison between magnetoresistances in magnetic fields perpendicular and parallel to the d-layer made it possible to evaluate the effective thickness of the quasi-two-dimensional hole channel which appears to be equal to (8.5 ± 0.5 )* 10⁻⁹ m throughout the whole temperature range studied.
|
| first_indexed | 2025-11-27T01:45:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174744 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T01:45:21Z |
| publishDate | 1995 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Красовицкий, Вит.Б. Макаровский, О.Н. Миронов, О.А. Волл, Т. Мэтью, Н. 2021-01-27T17:23:49Z 2021-01-27T17:23:49Z 1995 Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744 539,292 Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявлением эффектов слабой локализации (СЛ) при спин-орбитальпом взаимодействии и дырочно-дырочного взаимодействия (ДДВ) в диффузионном канале. При изучении темпера турных зависимостей магпитопроводимости и эффекта Холла разделены вклады эффектов CЛ и ДДВ и определены их характерные параметры. Из магпитополевых зависимостей, которые с высокой точностью описываются формулами для СЛ без учета ДДВ в диффузионном канале, получены абсолютные значения и температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции электронов Т⁻¹, что свидетельствует о преобладании при низких температурах ДДВ в процессах неупругой релаксации. При сравнении машитосонротивлепин в перпендикулярном и 
 параллельном d-слою матичных полях найдена эффективная толщина кпазидвумериого дырочного капала, которая во всем диапазоне исследованных температур оказалась равной (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м. Уперше експериментально досліджено гальваномагнітні властивості d-шару бора епітаксиального кремнія (концентрація носіїв заряду 7 * 10² см⁻²) в слабких магнітних полях 10⁻³ —2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, що температурна залежність провідності обумовлена спільним виявленням ефектів слабкої локалізації (СЛ) приспін-орбітальній взаємодіїта дірково-дірковій взаємодії (ДДВ) вдифузійпому каналі. При вивченні температурних залежностей мапіітопровідпості і ефекти Холла розділено вклади ефектів СЛ і ДДВ та визначено їх характерні параметри. Із магнітохвиольових залежностей, які з високою точністю описуються формулами для СЛ без урахування ДДВ в дифузійному каналі, одержано абсолютні значення та
 температурну залежність часу збою фази хвильової функції електронів Т⁻¹ що свідчить про переваження при низьких температурах ДДВ в процесах пепружньої релаксації. При порівнянні машітоопору в перпендикулярному і паралельному d-шару магнітних полях знайдено ефективну товщину киазідвовимірного діркового каналу, яка в усьому діапазоні досліджених температур виявилася ріпною (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м. The pioneering measurements of galvanomagnetic properties of a boron d-layer of epitaxial silicon (charge carrier concentration being 7 * 10² cm⁻²) in weak magnetic fields ranged from 10⁻³ -2 T at temperatures between 1.7 and 50 К we carried out. The temperature dependence of conductivity was shown to be due to the combined effect of weak localization (WL) under spin-orbit interaction and hole-hole coupling (HUC) in the 
 diffusion channel. Based on the data on temperature dependences of magnetoconductivity and Hall effect, the contributions from the WL and HUC effect were 
 separated and their typical parameters were determined. The magnetic field dependences that are described with a high degree of accuracy by the WL expressions not involving the HHC in the diffusion channel were used to obtain absolute values and temperature dependence of phase relaxation time of the electron wave function Т⁻¹, indicating the dominant role of hole-hole interactions in inelastic relaxation at low temperatures.
 Comparison between magnetoresistances in magnetic fields perpendicular and parallel to the d-layer made it possible to evaluate the effective thickness of the quasi-two-dimensional hole channel which appears to be equal to (8.5 ± 0.5 )* 10⁻⁹ m throughout the whole temperature range studied. Работа финансировалась Государственным фондом фундаментальных исследований при Государственном комитете Украины по вопросам науки и технологий. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния The effects of weak localization and hole-hole interaction in boron d-layers of epitaxial silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния Красовицкий, Вит.Б. Макаровский, О.Н. Миронов, О.А. Волл, Т. Мэтью, Н. |
| title | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| title_alt | The effects of weak localization and hole-hole interaction in boron d-layers of epitaxial silicon |
| title_full | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| title_fullStr | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| title_full_unstemmed | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| title_short | Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| title_sort | эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744 |
| work_keys_str_mv | AT krasovickiivitb éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ AT makarovskiion éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ AT mironovoa éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ AT vollt éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ AT métʹûn éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ AT krasovickiivitb theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon AT makarovskiion theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon AT mironovoa theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon AT vollt theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon AT métʹûn theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon |