Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния

Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния

Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при темпера­турах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявле­нием э...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1995
Hauptverfasser: Красовицкий, Вит.Б., Макаровский, О.Н., Миронов, О.А., Волл, Т., Мэтью, Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174744
record_format dspace
spelling Красовицкий, Вит.Б.
Макаровский, О.Н.
Миронов, О.А.
Волл, Т.
Мэтью, Н.
2021-01-27T17:23:49Z
2021-01-27T17:23:49Z
1995
Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744
539,292
Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при темпера­турах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявле­нием эффектов слабой локализации (СЛ) при спин-орбитальпом взаимодействии и дырочно-дырочного взаимодействия (ДДВ) в диффузионном канале. При изучении темпера турных зависимостей магпитопроводимости и эффекта Холла разделены вклады эффектов CЛ и ДДВ и определены их характерные параметры. Из магпитополевых зависимостей, которые с высокой точностью описываются формулами для СЛ без учета ДДВ в диффузионном канале, получены абсолютные значения и температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции электронов Т⁻¹, что свидетельствует о преобладании при низких температурах ДДВ в процессах неупругой релаксации. При сравнении машитосонротивлепин в перпендикулярном и параллельном d-слою матичных полях найдена эффективная толщина кпазидвумериого дырочного капала, которая во всем диапазоне исследованных температур оказалась равной (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м.
Уперше експериментально досліджено гальваномагнітні властивості d-шару бора епітаксиального кремнія (концентрація носіїв заряду 7 * 10² см⁻²) в слабких магнітних полях 10⁻³ —2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, що температурна залежність провідності обумовлена спільним виявленням ефектів слаб­кої локалізації (СЛ) приспін-орбітальній взаємодіїта дірково-дірковій взаємодії (ДДВ) вдифузійпому каналі. При вивченні температурних залежностей мапіітопровідпості і ефекти Холла розділено вклади ефектів СЛ і ДДВ та визначено їх характерні параметри. Із магнітохвиольових залежностей, які з високою точністю опису­ються формулами для СЛ без урахування ДДВ в дифузійному каналі, одержано абсолютні значення та температурну залежність часу збою фази хвильової функції електронів Т⁻¹ що свідчить про перева­ження при низьких температурах ДДВ в процесах пепружньої релаксації. При порівнянні машітоопору в перпендикулярному і паралельному d-шару магнітних полях знайдено ефективну товщину киазідвовимірного діркового каналу, яка в усьому діапазоні досліджених температур виявилася ріпною (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м.
The pioneering measurements of galvanomagnetic properties of a boron d-layer of epitaxial silicon (charge carrier concentration being 7 * 10² cm⁻²) in weak mag­netic fields ranged from 10⁻³ -2 T at temperatures between 1.7 and 50 К we carried out. The temperature dependence of conductivity was shown to be due to the combined effect of weak localization (WL) under spin-orbit interaction and hole-hole coupling (HUC) in the diffusion channel. Based on the data on temperature dependences of magnetoconductivity and Hall effect, the contributions from the WL and HUC effect were separated and their typical parameters were determin­ed. The magnetic field dependences that are described with a high degree of accuracy by the WL expressions not involving the HHC in the diffusion channel were used to obtain absolute values and temperature depend­ence of phase relaxation time of the electron wave func­tion Т⁻¹, indicating the dominant role of hole-hole interactions in inelastic relaxation at low temperatures. Comparison between magnetoresistances in magnetic fields perpendicular and parallel to the d-layer made it possible to evaluate the effective thickness of the quasi-two-dimensional hole channel which appears to be equ­al to (8.5 ± 0.5 )* 10⁻⁹ m throughout the whole tempe­rature range studied.
Работа финансировалась Государственным фон­дом фундаментальных исследований при Государ­ственном комитете Украины по вопросам науки и технологий.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
The effects of weak localization and hole-hole interaction in boron d-layers of epitaxial silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
spellingShingle Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
Красовицкий, Вит.Б.
Макаровский, О.Н.
Миронов, О.А.
Волл, Т.
Мэтью, Н.
title_short Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
title_full Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
title_fullStr Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
title_full_unstemmed Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
title_sort эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния
author Красовицкий, Вит.Б.
Макаровский, О.Н.
Миронов, О.А.
Волл, Т.
Мэтью, Н.
author_facet Красовицкий, Вит.Б.
Макаровский, О.Н.
Миронов, О.А.
Волл, Т.
Мэтью, Н.
publishDate 1995
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The effects of weak localization and hole-hole interaction in boron d-layers of epitaxial silicon
description Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при темпера­турах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявле­нием эффектов слабой локализации (СЛ) при спин-орбитальпом взаимодействии и дырочно-дырочного взаимодействия (ДДВ) в диффузионном канале. При изучении темпера турных зависимостей магпитопроводимости и эффекта Холла разделены вклады эффектов CЛ и ДДВ и определены их характерные параметры. Из магпитополевых зависимостей, которые с высокой точностью описываются формулами для СЛ без учета ДДВ в диффузионном канале, получены абсолютные значения и температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции электронов Т⁻¹, что свидетельствует о преобладании при низких температурах ДДВ в процессах неупругой релаксации. При сравнении машитосонротивлепин в перпендикулярном и параллельном d-слою матичных полях найдена эффективная толщина кпазидвумериого дырочного капала, которая во всем диапазоне исследованных температур оказалась равной (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м. Уперше експериментально досліджено гальваномагнітні властивості d-шару бора епітаксиального кремнія (концентрація носіїв заряду 7 * 10² см⁻²) в слабких магнітних полях 10⁻³ —2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, що температурна залежність провідності обумовлена спільним виявленням ефектів слаб­кої локалізації (СЛ) приспін-орбітальній взаємодіїта дірково-дірковій взаємодії (ДДВ) вдифузійпому каналі. При вивченні температурних залежностей мапіітопровідпості і ефекти Холла розділено вклади ефектів СЛ і ДДВ та визначено їх характерні параметри. Із магнітохвиольових залежностей, які з високою точністю опису­ються формулами для СЛ без урахування ДДВ в дифузійному каналі, одержано абсолютні значення та температурну залежність часу збою фази хвильової функції електронів Т⁻¹ що свідчить про перева­ження при низьких температурах ДДВ в процесах пепружньої релаксації. При порівнянні машітоопору в перпендикулярному і паралельному d-шару магнітних полях знайдено ефективну товщину киазідвовимірного діркового каналу, яка в усьому діапазоні досліджених температур виявилася ріпною (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м. The pioneering measurements of galvanomagnetic properties of a boron d-layer of epitaxial silicon (charge carrier concentration being 7 * 10² cm⁻²) in weak mag­netic fields ranged from 10⁻³ -2 T at temperatures between 1.7 and 50 К we carried out. The temperature dependence of conductivity was shown to be due to the combined effect of weak localization (WL) under spin-orbit interaction and hole-hole coupling (HUC) in the diffusion channel. Based on the data on temperature dependences of magnetoconductivity and Hall effect, the contributions from the WL and HUC effect were separated and their typical parameters were determin­ed. The magnetic field dependences that are described with a high degree of accuracy by the WL expressions not involving the HHC in the diffusion channel were used to obtain absolute values and temperature depend­ence of phase relaxation time of the electron wave func­tion Т⁻¹, indicating the dominant role of hole-hole interactions in inelastic relaxation at low temperatures. Comparison between magnetoresistances in magnetic fields perpendicular and parallel to the d-layer made it possible to evaluate the effective thickness of the quasi-two-dimensional hole channel which appears to be equ­al to (8.5 ± 0.5 )* 10⁻⁹ m throughout the whole tempe­rature range studied.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174744
fulltext
citation_txt Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния / Вит.Б. Красовицкий, О.Н. Макаровский, О.А. Миронов, Т. Волл, Н. Мэтью // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 833-838. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT krasovickiivitb éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ
AT makarovskiion éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ
AT mironovoa éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ
AT vollt éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ
AT métʹûn éffektyslaboilokalizaciiimeždyročnogovzaimodeistviâvdsloâhboraépitaksialʹnogokremniâ
AT krasovickiivitb theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon
AT makarovskiion theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon
AT mironovoa theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon
AT vollt theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon
AT métʹûn theeffectsofweaklocalizationandholeholeinteractioninborondlayersofepitaxialsilicon
first_indexed 2025-11-27T01:45:21Z
last_indexed 2025-11-27T01:45:21Z
_version_ 1850791735281582080

Ähnliche Einträge