Размерный эффект в сопротивлении микроконтакта, содержащего точечные дефекты

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1995
• Автори: Колесниченко, Ю.А., Омельянчук, А.Н., Тулузов, И.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174746
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Размерный эффект в сопротивлении микроконтакта, содержащего точечные дефекты / Ю.А. Колесниченко, А.Н. Омельянчук, И.Г. Тулузов // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 851-855. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Теоретически исследовано влияние точечных дефектов на проводимость баллистических микроконтактов. Показано, что размерная зависимость сопротивления R(d) определяется соотношением между диамет­ром контакта d и характерным расстоянием r₀ между примесями. При d <= r₀ величина R(d) чувствительна к пространственному расположению рассеивателей в приконтактной области. Проведено численное моделиро­вание проводимости контакта для случайных реализаций распределения примесей. Теоретично досліджено вплив точкових дефектів на провідність балістичних мікроконтактів. Показано, що розмірна залежність опору R(d) визначаться співвідношенням між діаметром контакту d та характерним відстанням r₀ між домішками. При d <= r₀ величина R (d ) чутлива до просторового розташування розсіювателі» у приконтактній області. Проведено чисельне моделювання провідності контакту для випадкових реалізацій розподілу домішків. The effect of point defects on conductivity of ballis­tic point contacts is studied theoretically. It is shown that the size dependence of resistance, R(d) is defined by the ratio between contact diameter (I and impurity-impurity separation r₀. For d <= r₀, the value of R(d) is 
 sensitive to spatial arrangement of stutterers in the near-contact region. Numerical simulation of point contact conductivity is made for a random distribution of impurities.