Размерный эффект в сопротивлении микроконтакта, содержащего точечные дефекты - Колесниченко, Ю.А.; Омельянчук, А.Н.; Тулузов, И.Г. (Физика низких температур, 1995)
Теоретически исследовано влияние точечных дефектов на проводимость баллистических микроконтактов. Показано, что размерная зависимость сопротивления R(d) определяется соотношением между диаметром контакта d и характерным расстоянием r₀ между примесями. При d <= r₀ величина R(d) чувствительна к пространственному расположению рассеивателей в приконтактной области. Проведено численное моделирование проводимости контакта для случайных реализаций распределения примесей. Теоретично досліджено вплив точкових дефектів на провідність балістичних мікроконтактів. Показано, що розмірна залежність опору R(d) визначаться співвідношенням між діаметром контакту d та характерним відстанням r₀ між домішками. При d <= r₀ величина R (d ) чутлива до просторового розташування розсіювателі» у приконтактній області. Проведено чисельне моделювання провідності контакту для випадкових реалізацій розподілу домішків. The effect of point defects on conductivity of ballistic point contacts is studied theoretically. It is shown that the size dependence of resistance, R(d) is defined by the ratio between contact diameter (I and impurity-impurity separation r₀. For d <= r₀, the value of R(d) is
sensitive to spatial arrangement of stutterers in the near-contact region. Numerical simulation of point contact conductivity is made for a random distribution of impurities.