Акустический аналог эффекта гигантского магнитосопротивления в металлических многослойных пленках

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1995
• Автори: Окулов, В.И., Памятных, Е.А., Устинов, В.В., Машарова, И.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
• Теми: Кpаткие сообщения
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174754
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Акустический аналог эффекта гигантского магнитосопротивления в металлических многослойных пленках / В.И. Окулов, Е.А. Памятных, В.В. Устинов, И.С. Машарова // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 885-887. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Показано, что механизмы эффекта гигантского магнитосопротивления, наблюдающеюся в металличе­ских магнитных многослойных пленках, могут проявляться в поглощении длинноволнового ультразвука, проникающего через пленку. Электронное поглощение ультразвука в тонких слоях обусловлено в основном рассеянием электронов на границах, и характер корреляции полевых зависимостей магнитосопротивления и коэффициента поглощения определяется механизмом эффекта в данной пленке. Виявлено, що механізми ефекту гігантського магнітоопору, що спостерігається в металевих магнітних багатошарових плівках, можуть проявитися в поглинанні довгохвильового ультразвуку, який проникає крізь плівку. Електронне поглинання ультразвуку в топких шарах обумовлено в основному розсіянням електронів на межах, і характер кореляції польових залежностей магнітоопору та коефіцієнта поглинання обумов­люється механізмом ефекту в цій плівці. It is shown that the mechanisms of the giant magnetoresistance effect observed in metal magnetic multi­layer films manifest themselves in the absorption of long-wave ultrasound penetrating the film. The electron absorption of ultrasound in thin layers is found to be mainly due to electron scattering by boundaries. The character of correlation of the magnetic field depend­ences of absorption coefficient and magnetoresistance is defined by that mechanism of the effect which is real­ized in a given film.