Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок

Дано теоретическое объяснение поведения ВАХ на начальном участке резистивного состояния ВТСП пленок, которое, в отличие от стандартного экспоненциального поведения низкотемпературных сверхпровод­ников, имеет не экспоненциальный, а степенной характер. Для описания процесса депиниинга вихрей в слоисты...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1995
Main Authors: Сиарский, А.А., Пашицкий, Э.А., Пальти, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174775
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок / А.А. Сиарский, Э.А. Пашицкий, А.М. Пальти // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 917-923. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174775
record_format dspace
spelling Сиарский, А.А.
Пашицкий, Э.А.
Пальти, А.М.
2021-01-27T19:33:23Z
2021-01-27T19:33:23Z
1995
Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок / А.А. Сиарский, Э.А. Пашицкий, А.М. Пальти // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 917-923. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174775
538.945
Дано теоретическое объяснение поведения ВАХ на начальном участке резистивного состояния ВТСП пленок, которое, в отличие от стандартного экспоненциального поведения низкотемпературных сверхпровод­ников, имеет не экспоненциальный, а степенной характер. Для описания процесса депиниинга вихрей в слоистых сверхпроводниках второго рода в случае непрерывного распределения сил пинниига (в некотором конечном интервале) построена модель перколяционной структуры для так называемой диодной перколя­ции. На основании построенной модели вычислен универсальный критический индекс у степенной ВАХ Е ~ (j - jc)y — который выражается через известные критические индексы корреляционной длины v и t и проводимости в 2D диодной теории перколяции у = 2v - t₊. Численное значение универсального индекса у = 1,6 удовлетворительно согласуется с недавно полученными экспериментальными значениями у.
Дано теоретичне пояснення поведінки ВАХ на початковій ділянці резистивного стану ВТІІП плівок, яке, на відміну від стандартної експоненціальної поведінки низькотемпературних надпровідників, має не експо­ненціальний, а степеневий характер. Для опису процесу денінінга вихорів в шаруватих надпровідниках другого роду у випадку безперервного розподілу сил піннііга (в деякому кінцевому інтервалі) побудовано модель перколяційної структури для так званої діодпої перколяції. На підставі побудованої моделі обчислено універсальний критичний індекс у степеневої ВАХ Е ~ (j - jc) — який виявляється через відомі критичні індекси кореляційної довжини v и t. Чисельне значення універсального індекса у = 1,6 задовільно погод­жується з недавно одержаними експериментальними значеннями у.
We propose a theoretical explanation of the beha­viour of the current-voltage characteristics (CVC) in the resistive state of HTSC films. Unlike the exponential behaviour of low temperature superconductors, this CVC follows the power law. The model of the 2D structure is proposed for the diode percolation of the vortex deplnning process in a thin film and layered superconductors, which has persistent distribution of the pinning forces. The universal critical index y is calculated for this model of resistive state of the power law CVC ~ (j - jc). The index is a combination of the critical indexes for the correlated length v and t for the conductivity in 2D diode percolated structures. It is equal to у = 2v - t₊. The theoretical value of index y = 1.6 is in areasonable agreement with the recently obtained experimental va­lues of y.
В заключение авторы выражают благодарность А. Е. Морозовскому, Ю. М. Гененко, A. Л. Касат­кину, В. М. Пану, В. И. Пентегову и В. Ф. Соловь­еву за обсуждения результатов и полезные замеча­ния. Один из авторов (А.А.С.) признателен I. Balberg, D. Sornett, H. E. Stanley за предоставле­ние оттисков своих работ.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
The model of diode percolation for the vortex flow In a resistive state of HTSC films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
spellingShingle Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
Сиарский, А.А.
Пашицкий, Э.А.
Пальти, А.М.
title_short Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
title_full Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
title_fullStr Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
title_full_unstemmed Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок
title_sort модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии втсп пленок
author Сиарский, А.А.
Пашицкий, Э.А.
Пальти, А.М.
author_facet Сиарский, А.А.
Пашицкий, Э.А.
Пальти, А.М.
publishDate 1995
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The model of diode percolation for the vortex flow In a resistive state of HTSC films
description Дано теоретическое объяснение поведения ВАХ на начальном участке резистивного состояния ВТСП пленок, которое, в отличие от стандартного экспоненциального поведения низкотемпературных сверхпровод­ников, имеет не экспоненциальный, а степенной характер. Для описания процесса депиниинга вихрей в слоистых сверхпроводниках второго рода в случае непрерывного распределения сил пинниига (в некотором конечном интервале) построена модель перколяционной структуры для так называемой диодной перколя­ции. На основании построенной модели вычислен универсальный критический индекс у степенной ВАХ Е ~ (j - jc)y — который выражается через известные критические индексы корреляционной длины v и t и проводимости в 2D диодной теории перколяции у = 2v - t₊. Численное значение универсального индекса у = 1,6 удовлетворительно согласуется с недавно полученными экспериментальными значениями у. Дано теоретичне пояснення поведінки ВАХ на початковій ділянці резистивного стану ВТІІП плівок, яке, на відміну від стандартної експоненціальної поведінки низькотемпературних надпровідників, має не експо­ненціальний, а степеневий характер. Для опису процесу денінінга вихорів в шаруватих надпровідниках другого роду у випадку безперервного розподілу сил піннііга (в деякому кінцевому інтервалі) побудовано модель перколяційної структури для так званої діодпої перколяції. На підставі побудованої моделі обчислено універсальний критичний індекс у степеневої ВАХ Е ~ (j - jc) — який виявляється через відомі критичні індекси кореляційної довжини v и t. Чисельне значення універсального індекса у = 1,6 задовільно погод­жується з недавно одержаними експериментальними значеннями у. We propose a theoretical explanation of the beha­viour of the current-voltage characteristics (CVC) in the resistive state of HTSC films. Unlike the exponential behaviour of low temperature superconductors, this CVC follows the power law. The model of the 2D structure is proposed for the diode percolation of the vortex deplnning process in a thin film and layered superconductors, which has persistent distribution of the pinning forces. The universal critical index y is calculated for this model of resistive state of the power law CVC ~ (j - jc). The index is a combination of the critical indexes for the correlated length v and t for the conductivity in 2D diode percolated structures. It is equal to у = 2v - t₊. The theoretical value of index y = 1.6 is in areasonable agreement with the recently obtained experimental va­lues of y.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174775
citation_txt Модель диодной перколяции течения вихрей в резистивном состоянии ВТСП пленок / А.А. Сиарский, Э.А. Пашицкий, А.М. Пальти // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 917-923. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT siarskiiaa modelʹdiodnoiperkolâciitečeniâvihreivrezistivnomsostoâniivtspplenok
AT pašickiiéa modelʹdiodnoiperkolâciitečeniâvihreivrezistivnomsostoâniivtspplenok
AT palʹtiam modelʹdiodnoiperkolâciitečeniâvihreivrezistivnomsostoâniivtspplenok
AT siarskiiaa themodelofdiodepercolationforthevortexflowinaresistivestateofhtscfilms
AT pašickiiéa themodelofdiodepercolationforthevortexflowinaresistivestateofhtscfilms
AT palʹtiam themodelofdiodepercolationforthevortexflowinaresistivestateofhtscfilms
first_indexed 2025-11-29T00:30:04Z
last_indexed 2025-11-29T00:30:04Z
_version_ 1850854393410224128