О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки
Предложена ионам двумерная бозе-система — поверхностные электроны над пленкой сверхтекучего гелия (или отвердешиих водорода или пеона), спаренные с дырками подложки. Рассмотрен случай малой концентрации» при которой размер олектрон-дырочпых пар много меньше среднего расстояния между ними. Найдена эн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1995 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174780 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки / С.И. Шевченко, С.В. Терептьев, Ю.3. Ковдря // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 891-898. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-174780 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шевченко, С.И. Терептьев, С.В. Ковдря, Ю.3. 2021-01-27T19:35:37Z 2021-01-27T19:35:37Z 1995 О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки / С.И. Шевченко, С.В. Терептьев, Ю.3. Ковдря // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 891-898. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174780 538.941; 538.945 Предложена ионам двумерная бозе-система — поверхностные электроны над пленкой сверхтекучего гелия (или отвердешиих водорода или пеона), спаренные с дырками подложки. Рассмотрен случай малой концентрации» при которой размер олектрон-дырочпых пар много меньше среднего расстояния между ними. Найдена энергия связи электрон-дырочной пары и ее размер. Дана оценка температуры перехода Тс в сверхтекучее состояние. Установлены условия, при которых температура кристаллизации Тm ниже Тс, а также условия отсутствия кристаллизации вплоть до пулевой температуры. Рассмотрен вопрос о локализа ции пар примесями и неровностями подложки. Найдена величина плотности примесей, ниже которой локализация пар существенно не влияет па фазовое состояние системы. Предложены эксперименты по обнаружению рассмотренных явлений. Запропоновано нову двовимірну бозе-систему — поверхневі електрони над плівкою надплннного гелію (або затверділих водню або пеону), спарені з дірками підкладки. Розглянуто випадок малої концентрації, коли розмір електрон-діркових нар значно меніие середньої відстані між ними. Знайдено енергію зв’язку електрон-діркової пари та ч розмір. Дано оцінку температури переходу Тс у надплипппй стан. Встановлено умови, за яких температура кристалізації Тm нижче Тс, а також умови відсутності кристалізації аж до нульової температури. Розглянуто питання про локалізацію пар домішками та нерівностями підкладки. Знайдено величину густини домішок, нижче якої локалізація суттєво не впливає на фазовий стан системи. Запропоновано експерименти по виявленню розглянутих явищ. A new 2/J system which consists of surface electrons on superfluid helium (also hydrogen or neon) film which are paired with the substrate holes is proposed. The case of low concentration when the size of the electron-hole pair is much smaller than the average distance between them is considered. The coupling energy and size of the electron-hole pair are obtained. The temperature of the superfluid transition Tc is estimated. The conditions when crystallization temperature Tm is smaller than Tc and crystallization is absent down to zero are determined. The question about localization of the pairs by impurities and irreqularities of the substrate is considered. The density of impurities below which localization of the pairs docs' not essentially affect the phase state of the system is obtained. The experiments to detect the analyzed phenomena are proposed. Настоящая работа частично финансирована грантом № U2D000 Международного научного фонда. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки On possibility of superfluidity in the system of surface electrons paired with substrate holes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| spellingShingle |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки Шевченко, С.И. Терептьев, С.В. Ковдря, Ю.3. |
| title_short |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| title_full |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| title_fullStr |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| title_full_unstemmed |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| title_sort |
о возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки |
| author |
Шевченко, С.И. Терептьев, С.В. Ковдря, Ю.3. |
| author_facet |
Шевченко, С.И. Терептьев, С.В. Ковдря, Ю.3. |
| publishDate |
1995 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
On possibility of superfluidity in the system of surface electrons paired with substrate holes |
| description |
Предложена ионам двумерная бозе-система — поверхностные электроны над пленкой сверхтекучего гелия (или отвердешиих водорода или пеона), спаренные с дырками подложки. Рассмотрен случай малой концентрации» при которой размер олектрон-дырочпых пар много меньше среднего расстояния между ними. Найдена энергия связи электрон-дырочной пары и ее размер. Дана оценка температуры перехода Тс в сверхтекучее состояние. Установлены условия, при которых температура кристаллизации Тm ниже Тс, а также условия отсутствия кристаллизации вплоть до пулевой температуры. Рассмотрен вопрос о локализа
ции пар примесями и неровностями подложки. Найдена величина плотности примесей, ниже которой локализация пар существенно не влияет па фазовое состояние системы. Предложены эксперименты по обнаружению рассмотренных явлений.
Запропоновано нову двовимірну бозе-систему — поверхневі електрони над плівкою надплннного гелію (або затверділих водню або пеону), спарені з дірками підкладки. Розглянуто випадок малої концентрації, коли розмір електрон-діркових нар значно меніие середньої відстані між ними. Знайдено енергію зв’язку електрон-діркової пари та ч розмір. Дано оцінку температури переходу Тс у надплипппй стан. Встановлено
умови, за яких температура кристалізації Тm нижче Тс, а також умови відсутності кристалізації аж до нульової температури. Розглянуто питання про локалізацію пар домішками та нерівностями підкладки. Знайдено величину густини домішок, нижче якої локалізація суттєво не впливає на фазовий стан системи. Запропоновано експерименти по виявленню розглянутих явищ.
A new 2/J system which consists of surface electrons on superfluid helium (also hydrogen or neon) film which are paired with the substrate holes is proposed. The case of low concentration when the size of the electron-hole pair is much smaller than the average distance between them is considered. The coupling energy and size of the electron-hole pair are obtained. The temperature of the superfluid transition Tc is estimated. The
conditions when crystallization temperature Tm is smaller than Tc and crystallization is absent down to zero are determined. The question about localization of the pairs
by impurities and irreqularities of the substrate is considered. The density of impurities below which localization of the pairs docs' not essentially affect the phase
state of the system is obtained. The experiments to detect the analyzed phenomena are proposed.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174780 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
О возможности сверхтекучести в системе по верхностных электронов, спаренных с дырками подложки / С.И. Шевченко, С.В. Терептьев, Ю.3. Ковдря // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 891-898. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ševčenkosi ovozmožnostisverhtekučestivsistemepoverhnostnyhélektronovsparennyhsdyrkamipodložki AT tereptʹevsv ovozmožnostisverhtekučestivsistemepoverhnostnyhélektronovsparennyhsdyrkamipodložki AT kovdrâû3 ovozmožnostisverhtekučestivsistemepoverhnostnyhélektronovsparennyhsdyrkamipodložki AT ševčenkosi onpossibilityofsuperfluidityinthesystemofsurfaceelectronspairedwithsubstrateholes AT tereptʹevsv onpossibilityofsuperfluidityinthesystemofsurfaceelectronspairedwithsubstrateholes AT kovdrâû3 onpossibilityofsuperfluidityinthesystemofsurfaceelectronspairedwithsubstrateholes |
| first_indexed |
2025-11-24T04:59:05Z |
| last_indexed |
2025-11-24T04:59:05Z |
| _version_ |
1850840858310475776 |