Фотопроводимость квантового баллистического контакта
Рассмотрен электронный транспорт через микросужение в двумерном квантовом канале в поперечном переменном электромаrнитном поле. Получено общее выражение для фотопроводимости как функции матричных элементов мноrоканальной S-матрицы рассеяния. Это выражение обобщает формулу Ландауэра для проводимости...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1997 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174829 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотопроводимость квантового баллистического контакта / В.С. Боровиков, Л.Ю. Горелик, В.З. Клейнер, Р.И. Шехтер // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрен электронный транспорт через микросужение в двумерном квантовом канале в поперечном переменном электромаrнитном поле. Получено общее выражение для фотопроводимости как функции матричных элементов мноrоканальной S-матрицы рассеяния. Это выражение обобщает формулу Ландауэра для проводимости 2D баллистическоrо микроконтакта (БМК) на случай неупруrих процессов взаимодействия
баллистических электронов с переменным электромагнитнмм полем. Рассмотрена связь симметрии S-матрицы электронов с транспортными свойствами БМК в нестационарном поле. Найдена фотопроводимость БМК с адиабатической геометрией в квазиклассическом приближении.
Розглянуто електронний транспорт крізь мікрозвуження у двовимірному квантовому каналі у присутності поперечного змінного електромагнітного поля. Знайдено загальний вираз для фотопровідності як функції матричних елементів баrатоканальноі S-матриці розсіювання. Такий вираз узагальнює формулу Ландауера для провідності 2D балістичного мікроконтакту (БМК) нa випадок непружньоі взаємодії балістичних електронів
із змінним електромагнітним полем. Розглянуто зв'язок сіметріі S-матриці електронів з транспортними властивостями БМК у нестаціонарному полі. Знайдено фотопровідність БМК з адіабатичною геометрією у квазікласичному наближенні.
The electron transport through a microscopic constriction in a two-dimensional quantum channel in an alternating transverse electromagnetic field is considered. A general expression is derived for the photoconductivity as a function of elements of a multichannel scattering S-matrix. This expression generalizes the Landauer formula for the conductivity of a 2D ballistic point contact (BPC) to the case of inelastic processes of interaction of ballistic electrons with alternating electromagnetic field. The relation between the symmetry of the S-matrix of electrons and the transport properties of the BPC in a nonstationary field is considered. The photoconductivity of a BPC with an adiabatic geometry is obtained in the semiclassical approximation.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |