Фотопроводимость квантового баллистического контакта

Рассмотрен электронный транспорт через микросужение в двумерном квантовом канале в поперечном переменном электромаrнитном поле. Получено общее выражение для фотопроводимости как функции матричных элементов мноrоканальной S-матрицы рассеяния. Это выражение обобщает формулу Ландауэра для проводимости...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1997
Main Authors: Боровиков, В.С., Горелик, Л.Ю., Клейнер, В.З., Шехтер, Р.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/174829
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотопроводимость квантового баллистического контакта / В.С. Боровиков, Л.Ю. Горелик, В.З. Клейнер, Р.И. Шехтер // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Рассмотрен электронный транспорт через микросужение в двумерном квантовом канале в поперечном переменном электромаrнитном поле. Получено общее выражение для фотопроводимости как функции матричных элементов мноrоканальной S-матрицы рассеяния. Это выражение обобщает формулу Ландауэра для проводимости 2D баллистическоrо микроконтакта (БМК) на случай неупруrих процессов взаимодействия
 баллистических электронов с переменным электромагнитнмм полем. Рассмотрена связь симметрии S-матрицы электронов с транспортными свойствами БМК в нестационарном поле. Найдена фотопроводимость БМК с адиабатической геометрией в квазиклассическом приближении. Розглянуто електронний транспорт крізь мікрозвуження у двовимірному квантовому каналі у присутності поперечного змінного електромагнітного поля. Знайдено загальний вираз для фотопровідності як функції матричних елементів баrатоканальноі S-матриці розсіювання. Такий вираз узагальнює формулу Ландауера для провідності 2D балістичного мікроконтакту (БМК) нa випадок непружньоі взаємодії балістичних електронів
 із змінним електромагнітним полем. Розглянуто зв'язок сіметріі S-матриці електронів з транспортними властивостями БМК у нестаціонарному полі. Знайдено фотопровідність БМК з адіабатичною геометрією у квазікласичному наближенні. The electron transport through a microscopic constriction in a two-dimensional quantum channel in an alternating transverse electromagnetic field is considered. A general expression is derived for the photoconductivity as a function of elements of a multichannel scattering S-matrix. This expression generalizes the Landauer formula for the conductivity of a 2D ballistic point contact (BPC) to the case of inelastic processes of interaction of ballistic electrons with alternating electromagnetic field. The relation between the symmetry of the S-matrix of electrons and the transport properties of the BPC in a nonstationary field is considered. The photoconductivity of a BPC with an adiabatic geometry is obtained in the semiclassical approximation.
ISSN:0132-6414